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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Nucleation mode selection during formation and growth of molten removal particles in Al2O3 ceramics laser cutting 期刊论文 CERAMICS INTERNATIONAL, 2018, 卷号: 44, 页码: 4176-4182 作者:  Luo, Yonghao;  Wang, Xuyue;  Hu, Yebing 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/02 Nucleation mode selection  Molten removal particles  Free energies  Micro morphology  Growth mode  Laser cutting   Phase field modeling of lamellar eutectic growth under the influence of fluid flow 期刊论文 COMPUTATIONAL MATERIALS SCIENCE, 2017, 卷号: 137, 页码: 171-178 作者:  Feng, Li;  Feng, Xiao-jing;  Lu, Yang;  Zhu, Chang-sheng;  Jia, Bei-bei 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/11/15 PF-LBM  Eutectic lamellar  Flow direction  Flow velocity   Reduction of dislocations in GaN epilayer grown on Si (111) substrates using a GaN intermedial layer 期刊论文 chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 2591-2594 Wang JF (Wang Jian-Feng); Zhang BS (Zhang Bao-Shun); Zhang JC (Zhang Ji-Cai); Zhu JJ (Zhu Jian-Jun); Wang YT (Wang Yu-Tian); Chen J (Chen Jun); Liu W (Liu Wei); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Yao DZ (Yao Duan-Zheng); Yang H (Yang Hui) 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2010/04/11 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  HIGH-QUALITY GAN  ALN BUFFER LAYER  NUCLEATION LAYER  PHASE EPITAXY  EVOLUTION  DENSITY  SILICON  STRESS  SI