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Oxygen vacancies and local amorphization introduced by high fluence neutron irradiation in β-Ga
2
O
3
power diodes
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2023, 卷号: 123
作者:
Liu, Jinyang
;
Han, Zhao
;
Ren, Lei
;
Yang, Xiao
;
Xu, Guangwei
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2023/11/10
A SiC asymmetric cell trench MOSFET with a split gate and integrated p(+)-poly Si/SiC heterojunction freewheeling diode
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2023, 卷号: 32, 期号: 5, 页码: 8
作者:
Jiang, Kaizhe
;
Zhang, Xiaodong
;
Tian, Chuan
;
Zhang, Shengrong
;
Zheng, Liqiang
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浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2023/10/07
split gate (SG)
heterojunction freewheeling diode (HJD)
SiC asymmetric cell trench MOSFET
turn-on loss
turn-off loss
A MOSFET-based high voltage nanosecond pulse module for the gating of proximity-focused microchannel plate image-intensifier
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT, 2021, 卷号: 987
作者:
Fang, Yuman
;
Gou, Yongsheng
;
Zhang, Minrui
;
Wang, Junfeng
;
Tian, Jinshou
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2021/01/28
Image intensifier
ICCD camera
MOSFET switching
Ultrafast imaging
Nanosecond pulse generation
A Charge Density Model of Silicon-nanowire GAA MOSFET Incoroperating the Source-drian Tunneling Effect for IC Design
会议论文
Guilin, China, June 4-6, 2021
作者:
Cheng H(程贺)
;
Zhang C(张超)
;
Liu TF(刘铁锋)
;
Xie C(谢闯)
;
Yang ZJ(杨志家)
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2022/02/04
ballistic transport
compact model
integrated-cricuit design
sub-7 nm GAA MOSFET
the source-drain tunneling
Single-event induced failure mode of PWM in DC/DC converter
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2020, 卷号: 114, 页码: 6
作者:
Gao, J.
;
Li, C.
;
Li, B.
;
Li, B.
;
Zhao, F.
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2021/12/13
An investigation of FinFET single-event latch-up characteristic and mitigation method
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2020, 卷号: 114, 页码: 8
作者:
Li, Dongqing
;
Liu, Tianqi
;
Wu, Zhenyu
;
Cai, Chang
;
Zhao, Peixiong
收藏
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2021/12/13
TCAD
FinFET
SCR
SEL
硕士学位论文-基于MOSFET的快脉冲电源技术研究
学位论文
: 中国科学院高能物理研究所, 2020
作者:
杨威
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浏览/下载:32/0
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提交时间:2021/03/02
Nanowire gate-all-around MOSFETs modeling: ballistic transport incorporating the source-to-drain tunneling
期刊论文
Japanese Journal of Applied Physics, 2020, 卷号: 59, 期号: 7, 页码: 1-9
作者:
Cheng H(程贺)
;
Liu TF(刘铁锋)
;
Zhang C(张超)
;
Liu ZF(刘志峰)
;
Yang ZJ(杨志家)
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2020/07/11
ballistic transport
cylindrical gate-allaround (GAA) MOSFET
compact model
Wentzel-Kramers-Brillouin (WKB) approximation
the source-to-drain tunneling
Large current nanosecond pulse generating circuit for driving semiconductor laser diode
期刊论文
MICROWAVE AND OPTICAL TECHNOLOGY LETTERS, 2019, 卷号: 61, 期号: 4, 页码: 867
作者:
Wen, Shaocong
;
Wang, Mao
;
Xie, Jie
;
Wu, Dongmin
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2019/12/26
circuit modeling
driver circuit
light detection and ranging (Lidar)
semiconductor lasers
time-of-flight (TOF)
Prediction of Stable and High-Performance Charge Transport in Zigzag Tellurene Nanoribbons
期刊论文
IEEE Transactions on Electron Devices, 2019, 卷号: Vol.66 No.5, 页码: 2365-2369
作者:
Yawei Lv
;
Yuan Liu
;
Wenjing Qin
;
Sheng Chang
;
Changzhong Jiang
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2019/12/13
Bonding
Transistors
Nanoribbons
Photonic band gap
Physics
Graphene
Discrete Fourier transforms
Current density
edge saturation
first principles
MOSFET
tellurene nanoribbon (TNR)
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