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三维数值仿真研究锗硅异质结双极晶体管总剂量效应 期刊论文
物理学报, 2022, 卷号: 71, 期号: 5, 页码: 314-324
作者:  张晋新1;  王信2;  郭红霞2,3;  冯娟1;  吕玲1
收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2022/03/17
0.5μm工艺CMOS有源像素传感器的总剂量辐射效应 期刊论文
发光学报, 2015, 卷号: 36, 期号: 2, 页码: 242-248
作者:  汪波;  李豫东;  郭旗;  刘昌举;  文林
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2015/03/25
γ射线辐照CMOS有源像素传感器的总剂量辐射效应研究 会议论文
中国甘肃兰州, 2014-08-13
作者:  汪波;  李豫东;  郭旗;  刘昌举;  任迪远
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2018/06/04
PMOS器件叠层结构的制备和栅功函数调节方法 专利
专利号: ZL201110046360.1, 申请日期: 2011-02-25, 公开日期: 2015-05-29
作者:  徐秋霞;  李永亮
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2015/05/29
高压LDMOS晶体管准饱和效应分析与建模 期刊论文
物理学报, 2010, 期号: 01
王磊; 杨华岳
收藏  |  浏览/下载：89/0  |  提交时间：2012/01/06
采用LOCOS隔离的部分耗尽SOI 器件的窄沟道效应 期刊论文
电 子 器 件, 2007, 卷号: 30, 期号: 5, 页码: 4,1535_1538
作者:  郭天雷;  宋文斌;  许高博;  韩郑生
收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2010/05/26
亚微米双层多晶硅自对准双极晶体管性能研究 期刊论文
电子与封装, 2005, 卷号: 5, 期号: 9, 页码: 5，29-33
作者:  张志勇;  海潮和
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/05/26
一种新型抗辐照SOI隔离结构 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: 4，1291-1294
作者:  司红;  赵洪辰;  海潮和;  韩郑生;  钱鹤
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2010/05/26
隔离技术对SOI PMOSFET中空穴迁移率的影响 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 10, 页码: 1345-1348
作者:  韩郑生;  赵洪辰;  海潮和;  钱鹤
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/05/26
Locos  Mesa  迁移率  应力  
部分耗尽CMOS／SOI工艺 期刊论文
半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 6, 页码: 5，806-810
作者:  刘新宇;  刘忠立
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2010/05/25
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