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Reversing abnormal hole localization in high-Al-content AlGaN quantum well to enhance deep ultraviolet emission by regulating the orbital state coupling 期刊论文
LIGHT-SCIENCE & APPLICATIONS, 2020, 卷号: 9, 期号: 1
作者:  Chen, Li;  Lin, Wei;  Wang, Huiqiong;  Li, Jinchai;  Kang, Junyong
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Fracture pressure model for inclined wells in layered formations with anisotropic rock strengths 期刊论文
JOURNAL OF PETROLEUM SCIENCE AND ENGINEERING, 2017, 卷号: 149, 页码: 393-408
作者:  Ma, Tianshou;  Zhang, Q. B.;  Chen, Ping;  Yang, Chunhe;  Zhao, J.
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Morphological dependent Indium incorporation in InGaN/GaN multiple quantum wells structure grown on 4 degrees misoriented sapphire substrate 期刊论文
AIP ADVANCES, 2016, 卷号: 6, 期号: 3
作者:  Jiang, T;  Xu, SR;  Zhang, JC;  Li, PX;  Huang, J(黄俊)
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On some integral equations arising in the pressure analysis of inclined wells in anisotropic formations 期刊论文
international journal of engineering science, 2012
Zhang, Lingyu; Atkinson, Colin
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Optischer Halbleiterverstärker 专利
专利号: DE69129281D1, 申请日期: 1998-05-28, 公开日期: 1998-05-28
作者:  NISHIMURA MICHIYO C/O CANON K.K. TOKYO JP;  NITTA JUN C/O CANON K.K. TOKYO JP;  NAKAMURA KENJI C/O CANON K.K. TOKYO JP;  MAJIMA MASAO C/O CANON K.K. TOKYO JP;  NAKATA TORU C/O CANON K.K. TOKYO JP
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- 专利
专利号: JP1989014716B2, 申请日期: 1989-03-14, 公开日期: 1989-03-14
作者:  KOBAYASHI KEISUKE;  NAKAJIMA HISAO
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