×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [2]
西安交通大学 [1]
中国科学院大学 [1]
湖南大学 [1]
上海技术物理研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [5]
学位论文 [1]
发表日期
2019 [1]
2018 [1]
2017 [1]
2016 [3]
学科主题
半导体物理 [2]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共6条,第1-6条
帮助
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Behavior of Raman modes in InPBi alloys under hydrostatic pressure
期刊论文
AIP ADVANCES, 2019, 卷号: 9
作者:
Zheng, Changcheng
;
Wang, Xiaohu
;
Ning, Jiqiang
;
Ding, Kun
;
Sun, Baoquan
收藏
  |  
浏览/下载:30/0
  |  
提交时间:2019/11/19
InPBi Quantum Dots for Super-Luminescence Diodes
期刊论文
Nanomaterials, 2018, 卷号: Vol.8 No.9, 页码: 705
作者:
Liyao Zhang
;
Yuxin Song
;
Qimiao Chen
;
Zhongyunshen Zhu
;
Shumin Wang
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2019/12/26
InPBi
quantum
dot
finite
element
method
super-luminescent
diode
emission
spectrum
Negative thermal quenching of below-bandgap photoluminescence in InPBi
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2017, 卷号: 110, 期号: 5
作者:
Chen XR
;
Wu XY
;
Yue L
;
Zhu LQ
;
Pan WW
收藏
  |  
浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2018/11/20
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ANTISITE DEFECTS
GROWTH
SOLIDS
Influence of doping in inp buffer on photoluminescence behavior of inpbi
期刊论文
Japanese journal of applied physics, 2016, 卷号: 55, 期号: 11, 页码: 4
作者:
Wang, Peng
;
Pan, Wenwu
;
Cao, Chunfang
;
Wu, Xiaoyan
;
Wang, Shumin
收藏
  |  
浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2019/05/09
稀铋 磷化物 InP 1-xBi x晶格 振动与电学输运特性的研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2016
魏冠男
收藏
  |  
浏览/下载:28/0
  |  
提交时间:2016/12/05
Bismuth-content-dependent polarized Raman spectrum of InPBi alloy
期刊论文
chinese physics b, 2016, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 66301-66306
Guan-Nan Wei
;
Qing-Hai Tan
;
Xing Dai
;
Qi Feng
;
Wen-Gang Luo
;
Yu Sheng
;
Kai Wang
;
Wen-Wu Pan
;
Li-Yao Zhang
;
Shu-Min Wang
;
Kai-You Wang
收藏
  |  
浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2017/03/16
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace