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Effects of In0.82Ga0.18As/InP Double Buffers Design on the Microstructure of the In(0.82)G(0.18)As/InP Heterostructure
期刊论文
CRYSTALS, 2017, 卷号: 7
作者:
Zhao, Liang
;
Guo, Zuoxing
;
Ding, Xiangdong
;
Li, Jingjuan
;
Yang, Shen
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提交时间:2019/11/26
InP buffer layer
MOCVD
In0.82Ga0.18As
epitaxy growth
semiconductor III-V materials
dislocation density
Microstructural response of InGaN to swift heavy ion irradiation
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2016, 卷号: 388, 页码: 30-34
作者:
Zhang, L. M.
;
Jiang, W.
;
Fadanelli, R. C.
;
Ai, W. S.
;
Peng, J. X.
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2018/05/31
Swift heavy ion irradiation
Microstructure
InGaN
Influence of doping in inp buffer on photoluminescence behavior of inpbi
期刊论文
Japanese journal of applied physics, 2016, 卷号: 55, 期号: 11, 页码: 4
作者:
Wang, Peng
;
Pan, Wenwu
;
Cao, Chunfang
;
Wu, Xiaoyan
;
Wang, Shumin
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/05/09
Structure optimization of high indium content InGaAs/InP heterostructure for the growth of In0.82Ga0.18As buffer layer
期刊论文
Optoelectronics Letters, 2016, 卷号: 12, 期号: 6
作者:
Wei, Q.-l.
;
Z.-x. Guo
;
L. Zhao
;
L. Zhao
;
D.-z. Yuan
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2017/09/11
Spectral calibration of medical microscopic imaging spectrometer
期刊论文
Guangxue Jingmi Gongcheng/Optics and Precision Engineering, 2016, 卷号: 24, 期号: 5
作者:
Wei, W.
;
J.-C. Cui
;
Y.-G. Tang
;
C. Sun and M.-Z. Pan
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2017/09/11
Efficient Perovskite Solar Cells Based on Multilayer Transparent Electrodes through Morphology Control
期刊论文
Journal of Physical Chemistry C, 2016, 卷号: 120, 期号: 47
作者:
Liu, X.
;
X. Y. Guo
;
Z. H. Gan
;
N. Zhang and X. Y. Liu
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2017/09/11
Effects of buffer layer and back-surface field on MBE-grown InGaAsP/InGaAs solar cells
期刊论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2016, 卷号: 55, 期号: 2
作者:
Wu, YY
;
Ji, L(季莲)
;
Dai, P(代盼)
;
Tan, M(谭明)
;
Lu, SL(陆书龙)
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2017/03/11
AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor high electron mobility transistors with reduced leakage current and enhanced breakdown voltage using aluminum ion implantation
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016, 卷号: 108, 期号: 1
作者:
Sun, SC
;
Fu, K(付凯)
;
Yu, GH(于国浩)
;
Zhang, ZL
;
Song, L
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2017/03/11
大面积InGaAs-MSM光电探测器研制及其暗电流特性分析
学位论文
硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:
闫欣
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浏览/下载:185/0
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提交时间:2015/05/20
红外探测器
InGaAs
MSM
MOCVD
暗电流
延伸波长In0.82Ga0.18As 红外探测器器件结构优化设计
学位论文
硕士: 中国科学院大学, 2014
赵旭
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提交时间:2015/05/03
“铟镓砷”
“暗电流”
“APSYS”
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