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| InGaN/GaN量子阱激光器及其制作方法 专利
专利号: CN106785919A, 申请日期: 2017-05-31, 公开日期: 2017-05-31
作者: 田爱琴; 刘建平; 张书明; 李德尧
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| 垂直结构InGaN/GaN量子阱太阳能电池研究 学位论文
2016, 2016
赖萌华
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| 一种带有InGaN插入层的非故意掺杂高阻GaN薄膜及其制备方法 专利
申请日期: 2015-01-01, 公开日期: 2016-03-09
作者: 梁红伟; 刘建勋; 柳阳; 夏晓川; 杜国同
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| 含InGaN插入层的非故意掺杂高阻GaN的外延生长和特性研究 会议论文
第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议, 苏州, 2015-10-30
作者: 刘建勋; 梁红伟; 夏晓川; 黄火林; 柳阳
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| 减小GaN基蓝紫光端发射激光器电子泄漏的方法 专利
专利号: CN103956653A, 申请日期: 2014-07-30, 公开日期: 2014-07-30
作者: 乐伶聪; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平
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| 基于InGaN插入层的非极性a-plane GaN薄膜的生长及相关物理研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012
李志伟
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| 光泵浦半导体芯片以及利用它的垂直外部空穴表面放出激光系统 专利
专利号: CN1921248A, 申请日期: 2007-02-28, 公开日期: 2007-02-28
作者: 严基荣; 金哲会
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