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Recent Progress in Double-Layer Honeycomb Structure: A New Type of Two-Dimensional Material
期刊论文
Materials, 2022, 卷号: 15, 期号: 21, 页码: 14
作者:
M. Y. Ma
;
D. Han
;
N. K. Chen
;
D. Wang and X. B. Li
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提交时间:2023/06/14
Dynamic carrier transport modulation for constructing advanced devices with improved performance by piezotronic and piezo-phototronic effects: a brief review
期刊论文
Semiconductor Science and Technology, 2017, 卷号: 32, 期号: 8
作者:
Guo, Z.
;
H. X. Pan
;
C. Y. Li
;
L. L. Zhang
;
S. Yan
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2018/06/13
Dynamic carrier transport modulation for constructing advanced devices with improved performance by piezotronic and piezo-phototronic effects: a brief review
期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2017, 卷号: 32, 期号: 8, 页码: -
作者:
Guo, Z
;
Pan, HX
;
Li, CY
;
Zhang, LL
;
Yan, S
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2018/08/30
P-n-junction
Sensitized Solar-cells
Nanowire Arrays
Zno Nanowire
Piezoelectric Nanogenerators
Layer Mos2
Band-gap
2-dimensional Materials
Temperature-dependence
Molybdenum-disulfide
Comparative study on beryllium and magnesium as a co-doping element for ZnO:N
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2016, 卷号: 25, 期号: 6
作者:
Su, Yu-Quan[1]
;
Chen, Ming-Ming[2]
;
Su, Long-Xing[3]
;
Zhu, Yuan[4]
;
Tang, Zi-Kang[5]
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提交时间:2019/12/24
III-V and II-VI semiconductors
defects and impurities
photoluminescence
properties and materials
x-ray photoelectron
Triggering piezoelectricity directly by heat to produce alternating electric voltage
期刊论文
Applied Physics Letters, 2016, 卷号: Vol.109 No.11, 页码: 113107
作者:
Liu, Yue-Yang
;
Li, Bo-Lin
;
Zhou, Wu-Xing
;
Chen, Ke-Qiu
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/12/31
Nanowires
III-V semiconductors
II-VI semiconductors
Zinc oxide films
Mechanical energy
Nanowire array-based light emitting diodes and lasers
专利
专利号: US8426224, 申请日期: 2013-04-23, 公开日期: 2013-04-23
作者:
WANG, DELI
;
BAO, XINYU
;
XIANG, BIN
;
SOCI, CESARE
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2019/12/24
Calculation of impurity energy levels of transition metal ions in inorganic crystals based on electronegativity
期刊论文
materials research innovations, 2013, 卷号: 17, 期号: 4, 页码: 218-223
Li KY
;
Shao JJ
;
Xue DF
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2014/04/20
II-VI SEMICONDUCTORS
INDUCED CHARGE-TRANSPORT
BARIUM-TITANATE
DOPED SRTIO3
TIO2
STATES
IRON
BATIO3
GAN
FE
Three-Dimensional Topological Insulators in I-III-VI2 and II-IV-V-2 Chalcopyrite Semiconductors
期刊论文
PHYSICAL REVIEW LETTERS, 2011, 卷号: 106, 期号: 1
Feng, WX
;
Xiao, D
;
Ding, J
;
Yao, YG
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2013/09/23
HGTE QUANTUM-WELLS
SINGLE DIRAC CONE
PHASE
SURFACE
BI2TE3
Metal electrode influence on the wet selective etching of GaAs/AlGaAs
期刊论文
journal of vacuum science & technology b, 2011, 卷号: 29, 期号: 4, 页码: 41208
Wang J
;
Han Q
;
Yang XH
;
Wang XP
;
Ni HQ
;
He JF
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2012/02/06
HYDROGEN-PEROXIDE SOLUTIONS
III-V SEMICONDUCTORS
PSEUDOMORPHIC MODFETS
GAAS
FABRICATION
TRANSISTOR
ALGAAS
Study on electrical properties of n-GaN grown at low temperature by metal-organic vapor phase epitaxy
期刊论文
2010, 2010
Wang Lai
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Xi Guang-Yi
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Li Hong-Tao
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