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A Chronicle Review of Nonsilicon (Sn, Sb, Ge)-Based Lithium/Sodium-Ion Battery Alloying Anodes 期刊论文
SMALL METHODS, 2020, 卷号: 4, 期号: 8
作者:  Liang, Suzhe;  Cheng, Ya-Jun;  Zhu, Jin;  Xia, Yonggao;  Mueller-Buschbaum, Peter
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2020/12/16
Dislocation-related photoluminescence of GeSn films grown on Ge (001) substrates by molecular beam epitaxy 期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2018, 卷号: 33, 期号: 12, 页码: 125022
作者:  Yang, Xinju;  Jia QJ(贾全杰);  Jiang, Zuimin;  Jia, Quanjie;  Zhong, Zhenyang
收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2019/10/11
Graphene boosted Cu2GeS3 for advanced lithium-ion batteries 期刊论文
INORGANIC CHEMISTRY FRONTIERS, 2017, 卷号: 4, 期号: 3, 页码: 541-546
作者:  Fu, Lin;  Zhang, Chuanjian;  Chen, Bingbing;  Zhang, Zhonghua;  Wang, Xiaogang
收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2017/06/13
A novel strategy to prepare Ge@C/rGO hybrids as high-rate anode materials for lithium ion batteries 期刊论文
JOURNAL OF POWER SOURCES, 2017, 卷号: 342, 页码: 521-528
作者:  Wang, Bangrun;  Wen, Zhaoyin;  Jin, Jun;  Hong, Xiaoheng;  Zhang, Sanpei
收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2017/05/05
硅基锗薄膜选区外延生长研究 期刊论文
2015
汪建元; 王尘; 李成; 陈松岩
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2016/05/17
Ionic liquid electrodeposition of Ge nanostructures on freestanding Ni-nanocone arrays for Li-ion battery 期刊论文
RSC ADVANCES, 2015, 卷号: 5, 期号: 25, 页码: 19596—19600
作者:  Hao, J;  Liu, X;  Liu, XS;  Liu, XX;  Li, N
收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2015/12/09
The study of temperature dependent strain in Ge epilayer with SiGe/Ge buffer layer on Si substrate with different thickness 期刊论文
http://dx.doi.org/10.1063/1.4884063, 2014
Wu, Po-Hung; Huang, Ying-Sheng; Hsu, Hung-Pin; Li, Cheng; Huang, Shi-Hao; Tiong, Kwong-Kau; 李成
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/07/22
Ultrathin low temperature Si0.75Ge0.25/Si buffer layer for the growth of high quality Ge epilayer on Si (100) by RPCVD 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2014, 卷号: 386, 页码: 38-42
作者:  Chen, D;  Wei, X;  Xue, ZY;  Bian, JT;  Wang, G
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/05/25
Strained Germanium-Tin pMOSFET Fabricated on a Silicon-on-Insulator Substrate with Relaxed Ge Buffer 期刊论文
2013, 卷号: 30
作者:  Su Shao-Jian[1];  Han Gen-Quan[2];  Zhang Dong-Liang[3];  Zhang Guang-Ze[3];  Xue Chun-Lai[3]
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/11/30
Strained Germanium-Tin pMOSFET Fabricated on a Silicon-on-Insulator Substrate with Relaxed Ge Buffer 期刊论文
chin. phys. lett., 2013, 卷号: 30, 期号: 11, 页码: 118501
SU Shao-Jian, HAN Gen-Quan, ZHANG Dong-Liang, ZHANG Guang-Ze, XUE Chun-Lai, WANG Qi-Ming, CHENG Bu-Wen
收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2014/04/04

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