|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式：
|
| 宽禁带半导体物理 期刊论文
科学观察, 2021, 卷号: 16, 期号: 05, 页码: 85-88
作者: 申德振
  收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2022/06/29 |
| 宽禁带半导体物理 期刊论文
科学观察, 2021, 卷号: 16, 期号: 05, 页码: 85-88
作者: 申德振
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2022/06/13 |
| 6英寸Si基GaN材料MOCVD外延生长研究 学位论文
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者: 徐健凯
收藏 | 浏览/下载：15/0 | 提交时间：2021/06/22 |
| GaN基紫外探测器材料与结构研究 学位论文
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者: 曹子坤
收藏 | 浏览/下载：27/0 | 提交时间：2021/06/17 |
| 不同LET粒子对商用GaN功率器件可靠性的影响 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者: 陈思远
收藏 | 浏览/下载：46/0 | 提交时间：2020/11/19
|
| 第三代半导体材料发展态势分析 专著
北京:电子工业出版社, 2020
作者: 王丽; 沈湘; 于杰平; 金瑛; 滕飞
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2021/11/04
|
| 一种基于氮化镓材料的双波长同时发射激光器 专利
专利号: CN107123928B, 申请日期: 2019-09-20, 公开日期: 2019-09-20
作者: 张保平; 许荣彬; 梅洋; 应磊莹; 郑志威
收藏 | 浏览/下载：28/0 | 提交时间：2019/12/24 |
| 一种水平空气柱电流注入孔径结构的垂直腔面发射激光器 专利
专利号: CN110148885A, 申请日期: 2019-08-20, 公开日期: 2019-08-20
作者: 李林; 曾丽娜; 李再金; 赵志斌; 乔忠良
收藏 | 浏览/下载：23/0 | 提交时间：2019/12/30 |
| 氮化物半导体基板及其制造方法以及半导体器件 专利
专利号: CN110036144A, 申请日期: 2019-07-19, 公开日期: 2019-07-19
作者: 藤原康文; 朱婉新; 小泉淳; 布兰登·米切尔; 汤姆·格雷戈尔凯维奇
收藏 | 浏览/下载：15/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 采用2D材料磊晶去疵单晶基板及其制备方法和制作组件 专利
专利号: CN109980061A, 申请日期: 2019-07-05, 公开日期: 2019-07-05
作者: 王晓靁; 刘家桓; 宋高梅
收藏 | 浏览/下载：18/0 | 提交时间：2020/01/18 |
