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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 减小GaN基蓝紫光端发射激光器电子泄漏的方法 专利 专利号: CN103956653A, 申请日期: 2014-07-30, 公开日期: 2014-07-30 作者:  乐伶聪;  赵德刚;  江德生;  刘宗顺;  陈平 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2020/01/18 提高GaN基LED发光效率的研究 学位论文 2011, 2010 朱丽虹 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2013/07/17 GaN基LED  GaN-based LED  蒙托卡罗方法  Monte Carlo photon-raytracing method  MOCVD  MOCVD  InGaN/GaN 多量子阱  InGaN/GaN MQW  欧姆接触  ohmic contact  侧向外延过生长  LEO technique  极化效应  polarization effect.  内量子效率。   GaN基蓝紫光激光器制备的理论与关键技术的研究 学位论文 2008, 2008 尹以安 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2016/02/14 GaN基蓝紫光激光器  MOCVD  AlGaN  InGaN/GaN多量子阱  p-InGaN/p-AlGaN超晶格  应变补偿  应变极化效应  P型欧姆接触。  GaN base bule-violet laser diode  LP-MOCVD  AlGaN  InGaN/GaN MQW  p-InGaN/p-AlGaN SLS  strained-compensated effect  strain-induced piezoelectric effect  p-type ohmic contact   GaN 基蓝紫光激光器研究 学位论文 博士, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006 李德尧 收藏  |  浏览/下载：68/6  |  提交时间：2009/04/13 减小GaN基蓝紫光端发射激光器电子泄漏的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-30 乐伶聪; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 杨静; 何晓光; 李晓静; 杨辉 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2014/12/25