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Evaluation of GaAsSb/AlGaAs strained superlattice photocathodes 期刊论文
AIP ADVANCES, 2018, 卷号: 8, 期号: 7, 页码: 075308
作者:  Liu, Wei;  Chen, Yiqiao;  Moy, Aaron;  Poelker, Matthew;  Stutzman, Marcy
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2018/10/08
高质量大组分可调GaAs1-xSbx纳米线及GaAsSb/InAs核-壳同轴纳米线分子束外延生长与表征 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2017
李利霞
收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2017/05/31
LPE growth and optical characteristics of GaAs1-xSbx epilayer 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2017, 卷号: 463, 页码: 123-127
作者:  Wang Y;  Hu SH;  Zhou W;  Sun Y;  Zhang B
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2018/11/20
High performance InAs/GaAsSb superlattice long wavelength infrared photo-detectors grown on InAs substrates 期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2017, 卷号: 32, 期号: 5
作者:  Xu ZC;  Chen JX;  Wang FF;  Zhou Y;  He L
收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2018/11/20
高极化度电子源先进光阴极的研究 学位论文
北京: 中国科学院大学, 2017
作者:  刘伟
收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2018/05/18
Near Full-Composition-Range High-Quality GaAsSb Nanowires Grown by Molecular-Beam Epitaxy 期刊论文
Nano Letters, 2017, 卷号: Vol.17 No.2, 页码: 622-630
作者:  Li, L.;  Pan, D.;  Xue, Y.;  Wang, X.;  Lin, M.
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/31
Near Full-Composition-Range High-Quality GaAsSb Nanowires Grown by Molecular-Beam Epitaxy 期刊论文
Nano Letters, 2017, 卷号: Vol.17 No.2, 页码: 622-630
作者:  Lixia Li;  Dong Pan;  Yongzhou Xue;  Xiaolei Wang;  Miaoling Lin
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/31
Molecular Beam Epitaxy of GaSb on GaAs Substrates with AlSb Buffer Layers 期刊论文
chin. phys. lett., 2016, 卷号: 34, 期号: 1, 页码: 018101
Hai-Long Yu; Hao-Yue Wu; Hai-Jun Zhu; Guo-Feng Song; Yun Xu
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2017/03/16
GaAs基含B高应变量子阱及其制备方法、半导体激光器 专利
专利号: CN103151710B, 申请日期: 2014-12-31, 公开日期: 2014-12-31
作者:  王琦;  贾志刚;  郭欣;  任晓敏;  黄永清
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/26

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