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Magnetic correlations and transport properties in triangular-lattice nickel germanide Ni1.8Ge single crystal
期刊论文
JOURNAL OF MAGNETISM AND MAGNETIC MATERIALS, 2018, 卷号: 460, 期号: 无, 页码: 104-110
作者:
Xian, Cong
;
Wang, Yihao
;
Wang, Jian
;
Zhang, Lei
;
Cao, Liang
收藏
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2019/08/23
Magnetic anisotropy
Triangular lattice
Ferrimagnetism
Magneto-transport
Thermal Stability Improvement of Nickel Germanide Utilizing Nitrogen Plasma Pretreatment for Germanium-Based Technology
其他
2016-01-01
Zhang, Bingxin
;
An, Xia
;
Liu, Pengqiang
;
Li, Ming
;
Lin, Meng
;
Hao, Peilin
;
Zhang, Xing
;
Huang, Ru
收藏
  |  
浏览/下载:1/0
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提交时间:2017/12/03
germanium
nitrogen plasma pretreatment (NPP)
NiGe
thermal stability
LAYER
New concept of planar germanium MOSFET with stacked germanide layers at source/drain
期刊论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015
Xu, Hao
;
Sun, Lei
;
Zhang, Yi-Bo
;
Han, Jing-Wen
;
Wang, Yi
;
Zhang, Sheng-Dong
收藏
  |  
浏览/下载:4/0
  |  
提交时间:2017/12/03
HIGH-KAPPA GATE
SCHOTTKY SOURCE/DRAIN
METAL GATE
MOBILITY
CONTACTS
SI
TECHNOLOGY
TRANSISTOR
SUBSTRATE
PMOSFETS
New concept of planar germanium MOSFET with stacked germanide layers at source/drain
其他
2015-01-01
Xu, Hao
;
Sun, Lei
;
Zhang, Yi-Bo
;
Han, Jing-Wen
;
Wang, Yi
;
Zhang, Sheng-Dong
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2017/12/04
HIGH-KAPPA GATE
SCHOTTKY SOURCE/DRAIN
METAL GATE
MOBILITY
CONTACTS
SI
TECHNOLOGY
TRANSISTOR
SUBSTRATE
PMOSFETS
Investigation of ZrGe Schottky source/drain contacts for Ge p-channel MOSFETs
期刊论文
Materials Science in Semiconductor Processing, 2014, 期号: 26, 页码: 614-619
Yang H.
;
Gao J.
;
Nakashima H.
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
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提交时间:2015/04/24
Formation of nickel germanide on SiO2-capped n-Ge to lower its Schottky barrier height
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1063/1.4852177, 2013
Lin, Guangyang
;
Tang, Mengrao
;
Li, Cheng
;
Huang, Shihao
;
Lu, Weifang
;
Wang, Chen
;
Yan, Guangming
;
Chen, Songyan
;
李成
;
陈松岩
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/07/22
SILICON-DIOXIDE
SIO2 LAYERS
ELECTROLUMINESCENCE
PHOTOLUMINESCENCE
DIFFUSION
DEFECTS
STATES
BLUE
First-principles prediction of a new Dirac-fermion material: silicon germanide monolayer
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, 2013, 卷号: 25, 期号: 39
作者:
Zhou, Hongcai
;
Zhao, Mingwen
;
Zhang, Xiaoming
;
Dong, Wenzheng
;
Wang, Xiaopeng
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/23
Performance Investigation on p-Type Si-, Ge-, and Ge-Si Core-Shell Nanowire Schottky Barrier Transistors
其他
2011-01-01
Pu, Jing
;
Sun, Lei
;
Han, Ru-Qi
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/11/13
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
GATE
MOSFETS
S/D
Performance investigation on p-type Si-, Ge-, and Ge-Si core-shell nanowire schottky barrier transistors
期刊论文
Japanese Journal of Applied Physics, 2011
Pu, Jing
;
Sun, Lei
;
Han, Ru-Qi
收藏
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2017/12/03
Thermal Stability of Nickel Germanide Formed on Tensile-Strained Ge Epilayer on Si Substrate
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1109/LED.2010.2049979, 2010
Tang, MR
;
Huang, W
;
Li, C
;
Lai, HK
;
Chen, SY
;
李成
收藏
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2013/12/12
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
NI GERMANIDE
MOSFETS
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