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Simulation study on single-event burnout in field-plated Ga2O3 MOSFETs
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2023, 卷号: 149
作者:
Yu, Cheng-hao
;
Guo, Hao-min
;
Liu, Yan
;
Wu, Xiao-dong
;
Zhang, Li-long
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2023/11/10
Depletion-mode
Single-event burnout (SEB)
Single-event gate rupture
Radiation Effects and Mechanisms on Switching Characteristics of Silicon Carbide Power MOSFETs
期刊论文
JOURNAL OF NANOELECTRONICS AND OPTOELECTRONICS, 2021, 卷号: 16, 期号: 9, 页码: 1423-1429
作者:
Feng, HN (Feng, Haonan) [1] , [2] , [3]
;
Yang, S (Yang, Sheng) [1] , [2] , [3]
;
Liang, XW (Liang, Xiaowen) [1] , [2] , [3]
;
Zhang, D (Zhang, Dan) [1] , [2] , [3]
;
Pu, XJ (Pu, Xiaojuan) [1] , [2] , [3]
收藏
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2022/03/24
SiC Power MOSFETs
Switching Characteristics
Total Ionizing Dose (TID) Effect
Static Characteristic
Parasitic Capacitance
Three-Dimensional Mechanistic Modeling of Gate Leakage Current in High- κ MOSFETs
期刊论文
PHYSICAL REVIEW APPLIED, 2020, 卷号: 13, 期号: 2, 页码: 024020
作者:
Feilong Liu
;
Yue-Yang Liu
;
Ling Li
;
Guofu Zhou
;
Xiangwei Jiang
;
Jun-Wei Luo
收藏
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2021/11/30
Nanowire gate-all-around MOSFETs modeling: ballistic transport incorporating the source-to-drain tunneling
期刊论文
Japanese Journal of Applied Physics, 2020, 卷号: 59, 期号: 7, 页码: 1-9
作者:
Cheng H(程贺)
;
Liu TF(刘铁锋)
;
Zhang C(张超)
;
Liu ZF(刘志峰)
;
Yang ZJ(杨志家)
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2020/07/11
ballistic transport
cylindrical gate-allaround (GAA) MOSFET
compact model
Wentzel-Kramers-Brillouin (WKB) approximation
the source-to-drain tunneling
A Single Gate Driver Based Solid-State Circuit Breaker Using Series Connected SiC MOSFETs
期刊论文
IEEE Transactions on Power Electronics, 2019, 卷号: 34, 页码: 2002-2006
作者:
Ren, Yu
;
Yang, Xu
;
Zhang, Fan
;
Wang, Fei
;
Tolbert, Leon M.
收藏
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2019/11/19
Gate drivers
Integrated circuit reliability
MOS-FET
Series connections
SiC MOSFET
Solid State Circuit Breaker
Voltage balancing
Wide band gap devices
High-k Spacer Consideration of Ultrascaled Gate-All-Around Junctionless Transistor in Ballistic Regime
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2018, 卷号: 65, 期号: 12, 页码: 5282-5288
作者:
Yang YM(杨育梅)
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2020/11/13
Ballistics
Dielectric materials
Drain current
Gate dielectrics
MOSFET devices
Poisson equation
Shims
Direct current performance
High- k
junctionless
Junctionless transistors
Non-equilibrium green functions
Nonequilibrium green function formalisms
Quantum simulators
Subthreshold characteristics
High-k Spacer Consideration of Ultrascaled Gate-All-Around Junctionless Transistor in Ballistic Regime
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2018, 卷号: 65, 期号: 12, 页码: 5282-5288
作者:
Yang, Yumei
;
Lou, Haijun
;
Lin, Xinnan
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2019/11/15
High-k spacer
junctionless
nonequilibrium Green function (NEGF)
quantum simulator
半导体器件的制造方法
专利
专利号: US9899270, 申请日期: 2018-02-20, 公开日期: 2014-06-05
作者:
徐秋霞
;
朱慧珑
;
许高博
;
周华杰
;
梁擎擎
收藏
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2019/03/27
The impact of heat loss paths on the electrothermal models of self-heating effects in nanoscale tri-gate SOI MOSFETs
期刊论文
IEICE ELECTRONICS EXPRESS, 2018, 卷号: 15
作者:
Su, Yali
;
Lai, Junhua
;
Liang, Feng
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/11/26
tri-gate SOI MOSFETs
self-heating effects (SHEs)
gate dissipation channels
An Integrated Gate Driver with Active Delay Control Method for Series Connected SiC MOSFETs
期刊论文
2018 IEEE 19th Workshop on Control and Modeling for Power Electronics, COMPEL 2018, 2018
作者:
Wang, Panrui
;
Gao, Feng
;
Jing, Yang
;
Hao, Quanrui
;
Li, Kejun
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2019/12/11
delay control
series connected
SiC MOSFET
voltage balance
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