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Characterization of Zn-doped GaN grown by metal-organic vapor phase epitaxy 期刊论文
Rare Metals, 2020, 卷号: 39, 期号: 11, 页码: 1328-1332
作者:  C. T. Wu,Y. Zhou,Q. Y. Sun,L. Q. Huang,A. L. Li and Z. M. Li
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A METHOD FOR GaN VERTICAL MICROCAVITY SURFACE EMITTING LASER (VCSEL) 专利
专利号: EP3201952A4, 申请日期: 2018-05-23, 公开日期: 2018-05-23
作者:  HAN, JUNG;  ZHANG, CHENG
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Strain Effects in Gallium Nitride Adsorption on Defective and Doped Graphene: First-Principles Calculations 期刊论文
Crystals, 2018, 卷号: 8, 期号: 2
作者:  Yan, Han;  Ku, Pei-Cheng;  Gan, Zhi-Yin*;  Liu, Sheng*;  Li, Peng
收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/04
Strain Effects in Gallium Nitride Adsorption on Defective and Doped Graphene: First-Principles Calculations 期刊论文
CRYSTALS, 2018, 卷号: 8, 期号: 2
作者:  Yan, Han;  Ku, Pei-Cheng;  Gan, Zhi-Yin;  Liu, Sheng;  Li, Peng
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/05
Mild preparation and high fluorescence emission efficiency of europium-doped gallium nitride nanocrystals and first-principles density functional theoretical analysis of optical properties 期刊论文
JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2017, 卷号: 5, 页码: 7904-7910
作者:  Hu, Xiaolin;  Zhou, Ning;  Hu, Yizhen;  Li, Yinhua;  Chen, Nannan
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/11/21
Photoelectron spectroscopy study of AlN films grown on n-type 6H-SiC by MOCVD 期刊论文
APPLIED PHYSICS A-MATERIALS SCIENCE & PROCESSING, 2016, 卷号: 122, 期号: 9
作者:  Liang, F;  Chen, P;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Zhao, ZJ
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Large field emission current from Si-doped AlN film grown by MOCVD on n-type (001) 6H-SiC 期刊论文
CHEMICAL PHYSICS LETTERS, 2016, 卷号: 651
作者:  Liang, F;  Chen, P;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Liu, ZS
收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2017/03/11
Method of forming p-type gallium nitride based semiconductor, method of forming nitride semiconductor device, and method of forming epitaxial wafer 专利
专利号: US8815621, 申请日期: 2014-08-26, 公开日期: 2014-08-26
作者:  UENO, MASAKI;  YOSHIZUMI, YUSUKE;  NAKAMURA, TAKAO
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AlPO&ltsub>4&lt/sub>基介孔玻璃的溶胶凝胶合成与发光应用 学位论文
博士: 中国科学院上海光学精密机械研究所, 2014
作者:  何进
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Vertical gallium-nitride-based LED chip has buffer layer, un-doped aluminum-gallium-indium nitride layer, doped aluminum-gallium-indium nitride layers, multiquantum well layer, indium-tin oxide layer, and nickel/gold electrode. 专利
申请日期: 2012-01-01, 公开日期: 2012-10-17
作者:  LIN G LIU Q QIN F
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