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一种Bi2Te3二维纳米片、其制备方法及应用 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201510454096.3, 申请日期: 2015-07-29,
作者:  姜秀娥;  白静;  贾潇丹
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硫属化合物半导体纳米材料调控合成和性能研究 学位论文
博士: 中国科学院长春应化所, 2013
郁超
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拓扑绝缘体Bi2Te3纳米片的输运性质 会议论文
中国物理学会2012年秋季学术会议, 2012
王振华; 高儇; 张志东等
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