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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Fabrication of high-hole-mobility germanium-on-insulator wafers through an easy method 期刊论文 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2018, 卷号: 750, 页码: 182-188 作者:  Yu, Kai;  Yang, Fan;  Cong, Hui;  Zhou, Lin;  Liu, Qingyun 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/11 GeOI  High crystal quality  Back-gate pMOSFET  Field-effect hole  mobility   国产工艺的部分耗尽SOI PMOSFET总剂量辐照及退火效应研究 期刊论文 原子能科学技术, 2010, 卷号: 44, 期号: 11, 页码: 1385-1389 作者:  崔江维;  余学峰;  刘刚;  李茂顺;  高博 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2012/11/29 总剂量辐照效应  退火  亚阈曲线   Effect of the technology of implanting nitrogen into buried oxide on the radiation hardness of the top gate oxide for partially depleted SOIPMOSFET 期刊论文 chinese physics, 2005, 卷号: 14, 期号: 3, 页码: 565-570 Zheng ZS; Liu ZL; Zhang GQ; Li N; Fan K; Zhang EX; Yi WB; Chen M; Wang X 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/03/17 SOIPMOSFET