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期刊论文 [14]
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发表日期
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2015 [1]
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2005 [3]
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Suppression of substrate mode in GaN-based green laser diodes
期刊论文
Optics Express, 2020, 卷号: 28, 期号: 10, 页码: 15497-15504
作者:
Jiang, Lingrong
;
Liu, Jianping
;
Zhang, Liqun
;
Qiu, Bocang
;
Tian, Aiqin
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2020/05/28
Radiative recombination mechanism of carriers in InGaN/AlInGaN multiple quantum wells with varying aluminum content
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2015, 卷号: 621, 页码: 12-17
作者:
Liu, Tong
;
Jiao, Shujie
;
Wang, Dongbo
;
Gao, Shiyong
;
Yang, Tianpeng
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2019/12/09
AlInGaN quaternary alloy
Multiple quantum wells
Recombination mechanism
Temperature-dependent
photoluminescence
Localized effect
InGaN太阳能电池的制备及特性研究
学位论文
2013, 2013
蔡晓梅
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2016/01/13
InGaN
太阳能电池
同质结(HOJ)
异质结(HEJ)
高In组分
InGaN,Solar cell
Homojunction (HOJ)
Heterojunction (HEJ)
High In content
InGaN太阳能电池的制备及特性研究
学位论文
2013, 2013
雷廷平
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浏览/下载:8/0
  |  
提交时间:2014/04/08
InGaN
Solar cell
Homojunction (HOJ)
Heterojunction (HEJ)
High In content
InGaN
太阳能电池
同质结(HOJ)
异质结(HEJ)
高In组分
Effects of the wave function localization in alingan quaternary alloys
期刊论文
Applied physics letters, 2007, 卷号: 91, 期号: 6, 页码: 3
作者:
Wang, Fei
;
Li, Shu-Shen
;
Xia, Jian-Bai
;
Jiang, H. X.
;
Lin, J. Y.
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/05/12
Effects of the wave function localization in AlInGaN quaternary alloys
期刊论文
applied physics letters, 2007, 卷号: 91, 期号: 6, 页码: art.no.061125
Wang, F (Wang, Fei)
;
Li, SS (Li, Shu-Shen)
;
Xia, JB (Xia, Jian-Bai)
;
Jiang, HX (Jiang, H. X.)
;
Lin, JY (Lin, J. Y.)
;
Li, J (Li, Jingbo)
;
Wei, SH (Wei, Su-Huai)
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/03/29
SPECIAL QUASIRANDOM STRUCTURES
Structural and optical properties of violet ingan/alingan light-emitting diodes grown by mocvd
期刊论文
Journal of crystal growth, 2006, 卷号: 295, 期号: 1, 页码: 7-11
作者:
Liu, J. P.
;
Shen, G. D.
;
Zhu, J. J.
;
Zhang, S. M.
;
Jiang, D. S.
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/05/12
Metal organic chemical vapor deposition
Violet light-emitting diodes
Alingan quaternary alloy
Structural and optical properties of violet InGaN/AlInGaN light-emitting diodes grown by MOCVD
期刊论文
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 295, 期号: 1, 页码: 40370
Liu JP (Liu J. P.)
;
Shen GD (Shen G. D.)
;
Zhu JJ (Zhu J. J.)
;
Zhang SM (Zhang S. M.)
;
Jiang DS (Jiang D. S.)
;
Yang H (Yang H.)
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2010/04/11
metal organic chemical vapor deposition
violet light-emitting diodes
AlInGaN quaternary alloy
QUATERNARY ALINGAN EPILAYERS
EMISSION
GAN
Temperature dependence of the formation of nano-scale indium clusters in InAlGaN alloys on Si(111) substrates
期刊论文
nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 5, 页码: 1251-1254
作者:
Wei HY
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浏览/下载:62/0
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提交时间:2010/04/11
OPTICAL-PROPERTIES
RAMAN-SCATTERING
EPILAYERS
LUMINESCENCE
ALINGAN
PHONON
LAYERS
FILMS
ALN
GAN
Investigations on optical properties of algainn epilayers grown by mocvd
期刊论文
Journal of infrared and millimeter waves, 2005, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 193-197
作者:
Jiang, DS
;
Liu, JP
;
Yang, H
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/05/12
Nitrides
Cathodoluminescence
Raman scattering
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