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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 4H-SiC紫外光光电晶体管模拟与分析 期刊论文 2011, 卷号: 27, 页码: 1-6,封2 作者:  史瑞;  陈治明 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/20 4H碳化硅  紫外光电晶体管  模拟  光谱响应   SiO2/SiC界面的Wet-ROA改性机理研究 期刊论文 固体电子学研究与进展, 2009, 卷号: 29, 页码: 339-342 作者:  朱巧智;  王德君;  赵亮 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/24 4H碳化硅  金属氧化物半导体  二氧化硅/碳化硅界面  变角X射线光电子能谱  湿氧二次氧化   水平冷壁CVD生长4H-SiC同质外延膜 期刊论文 半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 卷号: 26, 期号: 5, 页码: 935-940 作者:  高欣;  孙国胜;  李晋闽;  赵万顺;  王雷 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/04/27 碳化硅  化学气相沉积  原子力显微镜  Raman  光致发光  Cold wall chemical vapor deposition  Epilayer  Homoepitaxial growth  Nomarski microscopy