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| 磷化铟高电子迁移率晶体管外延结构材料抗电子辐照加固设计 期刊论文
物理学报, 2022, 卷号: 71, 期号: 3, 页码: 290-297
作者: 周书星1; 方仁凤1; 魏彦锋1; 陈传亮1; 曹文彧1
  收藏 | 浏览/下载：46/0 | 提交时间：2022/02/18
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| 半导体聚合物/石墨烯共混薄膜的强磁诱导生长及其电荷传输研究 期刊论文
功能材料, 2020, 卷号: 51
作者: 苏松林; 潘国兴; 肖旭华; 张发培
收藏 | 浏览/下载：42/0 | 提交时间：2021/01/11
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| 氧化锌气敏机制的研究及传感器信号放大的应用 学位论文
: 中国科学院大学, 2019
作者: 周新愿
收藏 | 浏览/下载：30/0 | 提交时间：2020/06/17
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| 集成天线的氮化镓基高电子迁移率晶体管太赫兹波探测器研究 学位论文
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
作者: 张博文
收藏 | 浏览/下载：95/0 | 提交时间：2019/11/18 |
| Ⅲ-Ⅴ族半导体材料及AlGaN/GaN HEMT器件辐照效应研究 学位论文
中国科学院大学: 中国科学院大学(中国科学院近代物理研究所), 2019
作者: 胡培培
收藏 | 浏览/下载：80/0 | 提交时间：2019/11/21 |
| SiO_2基底Nb原位掺杂MoS_2纳米薄膜的制备及场效应 期刊论文
2019, 卷号: 33, 期号: 12, 页码: 1975-1982
作者: 孙钰琨; 白波; 马美玲; 王洪伦; 索有瑞
收藏 | 浏览/下载：39/0 | 提交时间：2019/11/26
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| 一种高电子迁移率晶体管栅介质的制备方法 专利
申请日期: 2018-08-10, 公开日期: 2018-08-10
作者: 宋爱民; 朱庚昌; 冯先进; 辛倩; 王一鸣
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2020/01/04 |
| 一种非易失性存储器单元、其制备方法及非易失性存储器 专利
专利号: CN108091657A, 申请日期: 2018-05-29, 公开日期: 2018-05-29
作者: 陈一仁; 宋航; 黎大兵; 蒋红; 缪国庆
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2019/12/30 |
| 用于急性心肌梗死标志物检测的GaAs HEMT 生物传感器的研究 学位论文
北京: 中国科学院大学, 2018
作者: 罗佳明
收藏 | 浏览/下载：38/0 | 提交时间：2018/05/23
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