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大口径衍射光学元件反应离子刻蚀均匀性及调控方法的研究 学位论文
成都: 电子科技大学, 2021
作者:  张景文
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高稳定性非晶态金属氧化物TFT器件 专利
专利号: CN201110257880.7, 申请日期: 2016-03-30, 公开日期: 2013-03-13
作者:  王玉光;  殷华湘;  董立军;  陈大鹏
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新颖的非常规半导体系列研究 学位论文
博士, 中国科学院福建物质结构研究所: 中国科学院福建物质结构研究所, 1999
陈玲
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博士论文-核孔膜的制备及其应用于纳米线的研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 1998
作者:  彭良强
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