|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式：
|
| 一种碳化硅MOSFET沟道自对准工艺实现方法 专利
专利号: CN201510564659.4, 申请日期: 2018-07-20, 公开日期: 2015-11-18
作者: 彭朝阳; 刘新宇 ; 刘国友; 李诚瞻; 汤益丹
  收藏 | 浏览/下载：22/0 | 提交时间：2019/03/07 |
| 面向 MEMS 红外光源的高辐射率纳米硅结构制备 期刊论文
仪表技术与传感器, 2017
作者: 明安杰; 谭秋林; 刘卫兵; 熊继军; 王玮冰
收藏 | 浏览/下载：33/0 | 提交时间：2018/05/14 |
| 多级离子注入法制备太阳选择性吸收膜 期刊论文
2015, 2015
牛继南; 强颖怀
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2017/06/15
|
| 离子镀钛-离子注氮复合法制备太阳光选择性吸收膜 期刊论文
2015, 2015
牛继南; 强颖怀
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2017/06/15
|
| 多级离子注入法制备太阳选择性吸收膜 期刊论文
2015, 2015
牛继南; 强颖怀
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2017/06/15
|
| 辐照缺陷在制备金属纳米颗粒/绝缘体复合材料中的应用研究 学位论文
北京: 中国科学院研究生院, 2012
作者: 杨义涛
收藏 | 浏览/下载：22/0 | 提交时间：2015/10/29
|
| 垂直共振腔面射型激光元件及其制作方法 专利
专利号: CN102403654A, 申请日期: 2012-04-04, 公开日期: 2012-04-04
作者: 陈柏翰; 吴承儒; 潘金山
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 一种电子束对准标记的制作方法及其应用 专利
专利号: CN200610127868.3, 申请日期: 2009-06-03, 公开日期: 2008-03-26
作者: 郑英奎; 魏珂; 刘新宇; 刘果果; 和致经
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2010/11/26 |
| 惰性气体离子注入铝镁尖晶石合成金属纳米颗粒的探索 期刊论文
物理学报, 2009, 卷号: 2009, 期号: 01, 页码: 399-403
作者: 李炳生; 杨义涛; 张崇宏; 周丽宏; 张丽卿
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2010/10/29
|
| 垂直腔面发射激光器及其制造方法 专利
专利号: CN100426605C, 申请日期: 2008-10-15, 公开日期: 2008-10-15
作者: 赖利弘; 赖利温
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2020/01/18 |
