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P型金属氧化物半导体（PMOS）剂量计探头的差分工作电路技术 期刊论文
辐射研究与辐射工艺学报, 2021, 卷号: 39, 期号: 1, 页码: 85-90
作者:  王思源1,2;  孙静2;  陆妩1,2
收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2021/03/09
铟基半导体材料气敏性能研究及气体传感器信号处理 学位论文
: 中国科学院大学, 2020
作者:  边毓智
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2021/09/07
130nm部分耗尽绝缘体上硅工艺晶体管总剂量效应及模型研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:  席善学
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/07/15
体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响 期刊论文
电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069
作者:  席善学;  陆妩;  郑齐文;  崔江维;  魏莹
收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2019/06/21
SiC MOSFET开关特性及多等级栅电压驱动电路 期刊论文
2019, 页码: 17-20
作者:  乔小可;  杨媛;  王庆军
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/20
基于SOI结构的辐照传感器的辐照响应特性研究 期刊论文
核技术, 2019, 卷号: 42, 期号: 12, 页码: 47-52
作者:  孙静;  郭旗;  郑齐文;  崔江维;  何承发
收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2020/01/03
体效应对超深亚微米SOI器件总剂量效应的影响 期刊论文
电子学报, 2019, 卷号: 47, 期号: 5, 页码: 1065-1069
作者:  席善学;  陆妩;  郑齐文;  崔江维;  魏莹
收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2020/03/19
一种总剂量辐照对PMOSFET负偏压温度不稳定性影响的试验方法 专利
申请日期: 2018-05-15,
作者:  崔江维;  郑齐文;  魏莹;  孙静;  余学峰
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/08/06
一种总剂量辐照对PMOSFET负偏压温度不稳定性影响的试验方法 专利
申请日期: 2018-05-15, 公开日期: 2020-10-09
作者:  崔江维;  郑齐文;  魏莹;  孙静;  余学峰
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/08/06
绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管中辐射导致的寄生效应研究 期刊论文
《物理学报》, 2018, 卷号: 67, 页码: 284-293
作者:  彭超[1,2];  恩云飞[1];  李斌[2];  雷志锋[1];  张战刚[1]
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/04/22

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