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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 具有86mV/dec亚阈值摆幅的MoS2/SiO2场效应晶体管 期刊论文 红外与毫米波学报, 2017, 卷号: 36, 页码: 543-549 作者:  刘强[1];  蔡剑辉[2];  何佳铸[3];  王翼泽[4];  张栋梁[5] 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/04/24 MoS2场效应晶体管  良好的亚阈值斜率  SiO2栅介质  界面态密度   基于环栅纳米线隧穿场效应晶体管的解析模型 期刊论文 北京大学学报 自然科学版, 2014 何媛; 王骏成; 魏康亮; 刘晓彦 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/12 隧穿晶体管 解析模型 低功耗 亚阈值斜率 tunnel FETs analytical model low power sub-threshold slop   a-IZO 基薄膜晶体管的制备与性能研究 学位论文 硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2010 陈爱华 收藏  |  浏览/下载：149/0  |  提交时间：2010/07/21 薄膜晶体管  氧化铟锌  氧化钇  氧化铝  磁控溅射   高性能亚100nm栅长氮氧叠层栅介质难熔W／TiN金属栅电极CMOS器件 期刊论文 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 448-453 作者:  林钢;  徐秋霞;  周华杰;  钟兴华 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/05/26 等效氧化层厚度  氮氧叠层栅介质  W／tin金属栅  非cmp平坦化   0.15μm薄膜全耗尽MOS/SOI器件的设计和研制 期刊论文 半导体学报, 2000 张兴; 王阳元 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/10/23 MOS/SOI器件  薄膜  设计