已选(0)清除
条数/页: 排序方式:
|
| 一种绝缘栅双极晶体管 专利 专利号: CN201721830403.4, 申请日期: 2018-07-17, 作者: 陆江 ; 刘海南 ; 蔡小五 ; 卜建辉 ; 罗家俊![](/image/person.jpg)
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2019/03/01 |
| 一种逆导型绝缘栅双极晶体管结构及其制备方法 专利 专利号: CN201210524692.0, 申请日期: 2018-06-01, 公开日期: 2014-06-11 作者: 胡爱斌; 朱阳军 ; 田晓丽 ; 张文亮
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2019/03/07 |
| 沟槽栅场截止型绝缘栅双极晶体管(FS TIGBT)关键共性设计技术研究 学位论文 : 中国科学院大学, 2018 作者: 喻巧群
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:28/0  |  提交时间:2018/09/05 |
| 加速器电源电流突变及纹波抑制技术研究 学位论文 : 中国科学院大学(中国科学院上海应用物理研究所), 2018 作者: 黄山
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:22/0  |  提交时间:2018/08/23
|
| 高速集电极沟槽绝缘栅双极晶体管 A Novel Fast Collector Trench Insulated Gate Bipolar Transistor 期刊论文 2017, 卷号: 32, 页码: 53-58 作者: 蒋梦轩[1]; 帅智康[2]; 沈征[2]; 王俊[2]; 刘道广[3]
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2019/11/29 |
| 基于Nakagawa极限理论的硅基IGBT通态特性研究 期刊论文 2017, 卷号: 37, 页码: 345-349 作者: 张如亮; 王彩琳
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2019/12/20
|
| 基于4级Uce检测的大功率IGBT过流保护策略 期刊论文 2017, 卷号: 47, 页码: 76-80 作者: 孙浩; 杨媛; 高勇
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2019/12/20
|
| 高速集电极沟槽绝缘栅双极晶体管 期刊论文 电工技术学报, 2017, 卷号: 第32卷 第24期, 页码: 53-58 作者: 蒋梦轩; 帅智康; 沈征; 王俊; 刘道广
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2019/12/31
|
| 逆阻型绝缘栅双极晶体管研究进展 期刊论文 半导体技术, 2016 作者: 卢烁今; 田晓丽; 张须坤; 沈千行; 张广银
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2017/05/11 |
| 超高压绝缘栅双极晶体管(IGBT)关键设计、工艺技术研究 学位论文 : 中国科学院大学, 2016 作者: 田晓丽
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2017/08/29 |