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| 碳化硅二极管在高压电源的应用研究 期刊论文
核技术, 2019, 卷号: 42, 期号: 05, 页码: 38-43
作者: 黄毛毛; 李瑞; 李德明; 魏居魁; 武万锋
  收藏 | 浏览/下载：27/0 | 提交时间：2020/10/19
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| 宽带隙半导体4H-SiC核辐射探测器的设计与仿真 学位论文
: 大连理工大学, 2017
作者: 王伟
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2019/12/03
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| 带有选择性截止层的碳化硅高温离子注入掩模的制造方法 专利
专利号: CN201310559750.8, 申请日期: 2016-03-16, 公开日期: 2014-02-12
作者: 白云 ; 刘新宇; 许恒宇; 汤益丹; 蒋浩杰
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2017/05/27 |
| 1200V4H-SiC JBS二极管的研制 期刊论文
2016, 卷号: 50, 页码: 100-102
作者: 马骏; 王曦; 蒲红斌; 封先锋
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2019/12/20
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| 高亮度及低衰减的LED发光二极管的制造方法 专利
专利号: CN102709412B, 申请日期: 2015-05-13, 公开日期: 2015-05-13
作者: 杨勇
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| SiC衬底紫外LED制备和研究 学位论文
: 大连理工大学, 2015
作者: 陶鹏程
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2019/12/09
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| 高质量N 型SiC 单晶生长及其器件应用 期刊论文
人工晶体学报, 2015, 卷号: 44, 期号: 6, 页码: 1427-1431
作者: 杨祥龙; 杨昆; 陈秀芳; 彭燕; 胡小波
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2019/12/17
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| 采用调制掺杂结构的Si/SiC异质结光电特性研究 学位论文
: 西安理工大学, 2015
作者: 何映锋
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2019/12/20
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| 预切割硅衬底背面以在衬底正面上更好地生长III-V化合物层 专利
专利号: CN103682007A, 申请日期: 2014-03-26, 公开日期: 2014-03-26
作者: 李镇宇; 林忠宝; 夏兴国; 郭浩中; 徐慧君
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 快恢复二极管的发展 期刊论文
物理学进展, 2014, 卷号: 第34卷 第5期, 页码: 226-234
作者: 黄昊; 沈征; 王俊; 王达名
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2019/12/31
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