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微波功率SiGe HBT与基于虚衬底的SiGe HPT的研制 学位论文
2009, 2009
张永
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应变Ge_(1-y)C_y合金的带隙 期刊论文
2002
吴丽清; 郭亨群; 黄美纯; 朱梓忠
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一种高锗组分锗硅虚衬底的制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010183385.1, 公开日期: 2011-08-30
作者:  薛春来
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