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| 硅基波长快速切换外腔激光器 专利 专利号: CN110289546A, 申请日期: 2019-09-27, 公开日期: 2019-09-27 作者: 周林杰; 郭宇耀; 陆梁军; 陈建平; 付志明
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| 掺杂稀土钕离子聚合物光波导放大器的基础研究 学位论文 2016, 2016 李小龙
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2017/06/20
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| 基于SOI的电光开关研究 学位论文 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016 周培基
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:21/0  |  提交时间:2016/06/03
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| 硅基电光开关及开关阵列研究 学位论文 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2015 邢界江
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:24/0  |  提交时间:2015/05/29 |
| 全硅集成光学——理论与工艺(Ⅹ)(续九)①第十讲干涉型硅波导电光调制开关 期刊论文 1996, 页码: 84-95 作者: 赵策洲; 高勇
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:0/0  |  提交时间:2019/12/25
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| 一种硅基集成化的二位二进制电光编码器 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102522995A, 公开日期: 2012-09-07, 2012-09-07, 2012-09-07 田永辉; 杨林
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2012/09/07 |