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一种基于AlGaAs/GaInP有源区的795nm量子阱激光器 专利
专利号: CN108346973A, 申请日期: 2018-07-31, 公开日期: 2018-07-31
作者:  徐现刚;  李沛旭
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一种基于砷化镓的集成晶体管及具有该晶体管的汽车 专利
专利号: CN207558802U, 申请日期: 2018-06-29, 公开日期: 2018-06-29
作者:  李华山
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一种高功率半导体激光器结构 专利
专利号: CN207218000U, 申请日期: 2018-04-10, 公开日期: 2018-04-10
作者:  韦欣;  徐建人
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一种接触网静态检测专用激光雷达光源装置 专利
专利号: CN107561519A, 申请日期: 2018-01-09, 公开日期: 2018-01-09
作者:  娄淑琴;  盛新志;  严世博;  田晨光;  陈康龙
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基于旋转发射镜的激光远距离无线充电装置 专利
专利号: CN106385116A, 申请日期: 2017-02-08, 公开日期: 2017-02-08
作者:  李真;  朱思祁;  陈振强;  尹浩;  何铁锋
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铟掺杂砷化镓材料的光电特性研究 学位论文
: 西安理工大学, 2017
作者:  王丹萍
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Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米结构能谱及其调控 学位论文
: 湖南大学, 2017
作者:  廖高华
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具有高热波长调谐效率的可调激光器 专利
专利号: CN105409071A, 申请日期: 2016-03-16, 公开日期: 2016-03-16
作者:  陈宏民;  颜学进;  苗容生;  沈晓;  刘宗荣
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一种基于铋元素的GaAs基室温红外发光材料及其制备方法 专利
专利号: CN105226503A, 申请日期: 2016-01-06, 公开日期: 2016-01-06
作者:  王庶民
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基于InAs/GaAs量子点-石墨烯复合结构的肖特基光电探测器研究 期刊论文
红外, 2016, 卷号: 37, 页码: 10-15,28
作者:  甘桃[1];  杜磊[2];  刘昌龙[3];  李梁[4];  陈刚[5]
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