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22nm体硅FinFET总剂量效应及热载流子可靠性研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:  王保顺
收藏  |  浏览/下载:30/0  |  提交时间:2020/11/19
具有二维电子气沟道势垒层局部凹槽结构的霍尔传感器及其制作方法 专利
申请日期: 2018-01-01, 公开日期: 2018-07-24
作者:  黄火林;  曹亚庆;  李飞雨;  孙仲豪
收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2019/12/02
(In)GaN/AlGaN/GaN异质结构中的二维电子和空穴气研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
闫俊达
收藏  |  浏览/下载:445/0  |  提交时间:2017/06/05
双栅无结型场效应晶体管的设计与优化 期刊论文
2016, 2016
李为民; 梁仁荣; 王敬; LI Weimin; LIANG Renrong; WANG Jing
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半导体Ge结技术研究及Ge横向PIN结光电探测器设计 学位论文
2016, 2015
魏江镔
收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2017/06/20
半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201110339415.8, 申请日期: 2015-09-09, 公开日期: 2013-05-08
作者:  殷华湘;  罗军;  赵超;  刘洪刚;  陈大鹏
收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2016/09/18
半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201110021062.7, 申请日期: 2015-08-05, 公开日期: 2012-07-18
作者:  罗军;  赵超
收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2016/09/18
一种GaAs基PHEMT和垂直腔面发射激光器 专利
专利号: CN104752953A, 申请日期: 2015-07-01, 公开日期: 2015-07-01
作者:  王智勇;  高鹏坤;  王青;  郑建华
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半导体存储单元、器件及其制备方法 专利
专利号: CN201010541159.6, 申请日期: 2015-05-13, 公开日期: 2012-05-23
作者:  刘明;  霍宗亮
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Ge/SiGe异质结构肖特基源漏MOSFET 期刊论文
2014
张茂添; 刘冠洲; 李成; 王尘; 黄巍; 赖虹凯; 陈松岩
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