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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 射频反应性溅射沉积的Cd↓2SnO↓4薄膜物理性质与缺陷特性研究 期刊论文 物理学报, 1992, 期号: 12, 页码: 2055-2060 作者:  彭栋梁;  蒋生蕊 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/04/27 射频反应性溅射:6166  Cd_2SnO_4薄膜:4305  电阻率:3478  氧浓度:2858  衬底温度:2643  光隙:2130  热处理:2014  物理性质:1731  特性研究:1670  氧空位浓度:1341