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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 直流等离子体CVD法在Si(100)衬底上局部定向核化及外延生长金刚石膜 期刊论文 半导体技术, 1992, 期号: 2, 页码: 59-60+63 作者:  王万录;  廖克俊;  高锦英;  刘爱民 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/04/27 金刚石膜生长:5972  定向核:5081  直流等离子体CVD:4137  外延生长:3779  定向生长:1657  预处理:1150  金刚石晶体:1065  正常条件:832  正常生长:787  反应气体:767