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| (VNbTaMoW)系高熵碳化物的设计制备、 物相形成机理 及性能研究 学位论文 北京: 中国科学院大学, 2022 作者: 刘第强
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| 大晶格失配和异价的Si与III-V族半导体带阶的直接计算 学位论文 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021 作者: 胡玉莹
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:18/0  |  提交时间:2021/11/26 |
| 稀氮(Ga(In)AsN)材料的位移损伤效应研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020 作者: 雷琪琪
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:34/0  |  提交时间:2020/11/19
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| Ⅲ-Ⅴ族半导体材料及AlGaN/GaN HEMT器件辐照效应研究 学位论文 中国科学院大学: 中国科学院大学(中国科学院近代物理研究所), 2019 作者: 胡培培
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:85/0  |  提交时间:2019/11/21 |
| 一种非极性紫外LED 专利 专利号: CN208014734U, 申请日期: 2018-10-26, 公开日期: 2018-10-26 作者: 王文樑; 李国强; 郑昱林; 阳志超
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2019/12/24 |
| 鳍式场效应晶体管、鳍结构及其制造方法 专利 专利号: CN201410827222.0, 申请日期: 2018-09-11, 公开日期: 2016-07-20 作者: 钟汇才 ; 罗军 ; 赵超 ; 朱慧珑![](/image/person.jpg)
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:18/0  |  提交时间:2019/03/22 |
| 涉及具有晶格匹配的覆层的高限制因子的III族氮化物边发射激光二极管的方法和器件 专利 专利号: CN107710381A, 申请日期: 2018-02-16, 公开日期: 2018-02-16 作者: 韩重; 李玉峰; 袁歌
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2019/12/30 |
| Li同位素在斜顽辉石、镁铝榴石及镁铝尖晶石晶格内扩散与分馏的理论计算研究 期刊论文 岩石学报, 2018, 期号: 9, 页码: 2811-2818 作者: 蒋佳俊; 梁光明; 靳佳冀; 张飞武
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| 黄铜矿结构Cu-Ⅲ-Ⅵ_2族光电、热电材料表面态钝化及掺杂性质的计算研究 学位论文 2018 作者: 祁荣斐
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