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(VNbTaMoW)系高熵碳化物的设计制备、 物相形成机理 及性能研究 学位论文
北京: 中国科学院大学, 2022
作者:  刘第强
收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2023/10/10
大晶格失配和异价的Si与III-V族半导体带阶的直接计算 学位论文
中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  胡玉莹
收藏  |  浏览/下载:18/0  |  提交时间:2021/11/26
稀氮(Ga(In)AsN)材料的位移损伤效应研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020
作者:  雷琪琪
收藏  |  浏览/下载:34/0  |  提交时间:2020/11/19
Ⅲ-Ⅴ族半导体材料及AlGaN/GaN HEMT器件辐照效应研究 学位论文
中国科学院大学: 中国科学院大学(中国科学院近代物理研究所), 2019
作者:  胡培培
收藏  |  浏览/下载:85/0  |  提交时间:2019/11/21
一种非极性紫外LED 专利
专利号: CN208014734U, 申请日期: 2018-10-26, 公开日期: 2018-10-26
作者:  王文樑;  李国强;  郑昱林;  阳志超
收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2019/12/24
鳍式场效应晶体管、鳍结构及其制造方法 专利
专利号: CN201410827222.0, 申请日期: 2018-09-11, 公开日期: 2016-07-20
作者:  钟汇才;  罗军;  赵超;  朱慧珑
收藏  |  浏览/下载:18/0  |  提交时间:2019/03/22
涉及具有晶格匹配的覆层的高限制因子的III族氮化物边发射激光二极管的方法和器件 专利
专利号: CN107710381A, 申请日期: 2018-02-16, 公开日期: 2018-02-16
作者:  韩重;  李玉峰;  袁歌
收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2019/12/30
Li同位素在斜顽辉石、镁铝榴石及镁铝尖晶石晶格内扩散与分馏的理论计算研究 期刊论文
岩石学报, 2018, 期号: 9, 页码: 2811-2818
作者:  蒋佳俊;   梁光明;   靳佳冀;   张飞武
收藏  |  浏览/下载:28/0  |  提交时间:2019/06/13
黄铜矿结构Cu-Ⅲ-Ⅵ_2族光电、热电材料表面态钝化及掺杂性质的计算研究 学位论文
2018
作者:  祁荣斐
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