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| 一种应用于交织SRAM抗软错误累积效应的擦洗方法 专利 专利号: CN201210559913.8, 申请日期: 2018-10-30, 公开日期: 2013-05-22 作者: 刘鑫; 赵发展 ; 韩郑生![](/image/person.jpg)
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| 一种新颖的双节点翻转自恢复的抗辐射加固锁存器 期刊论文 Journal of Southeast University(English Edition), 2018, 卷号: 第34卷, 页码: 182-186 作者: Yan Aibin; Wang Qijun
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| 单粒子软错误的数值仿真技术 期刊论文 抗核加固, 2017 作者: 毕津顺
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| 基于SOI工艺抗辐照嵌入式SRAM关键技术研究 学位论文 工学博士, 中国科学院自动化研究所: 中国科学院大学, 2015 作者: 刘丽
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| 一种低功耗、抗软错误的 TCA M系统设计 期刊论文 微电子学与计算机, 2015, 卷号: 32, 页码: 10-14,21 作者: 张建伟; 潘阿成; 郑善兴; 丁秋红; 腾飞
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| 一种低功耗抗辐射的TCAM系统设计 学位论文 : 大连理工大学, 2015 作者: 潘阿成
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| 高速CAM抗软错误设计与实现 学位论文 : 大连理工大学, 2014 作者: 吕文欢
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| 一种SRAM型FPGA抗软错误物理设计方法 期刊论文 电子与信息学报, 2013, 卷号: 35, 页码: 994-1000 作者: 赵磊; 王祖林; 郭旭静; 华更新
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2020/01/06
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