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山东师范大学 [4]
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期刊论文 [4]
学位论文 [2]
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2016 [1]
2015 [1]
2008 [1]
2005 [1]
2004 [2]
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高铝粉煤灰中金属镓电解提取技术基础与应用
学位论文
: 中国科学院研究生院, 2016
作者:
刘玲
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2019/03/29
高铝粉煤灰,金属镓,界面改性电沉积,解耦与协同作用,过程强化
高铝粉煤灰中金属镓电解提取技术基础与应用
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2015
作者:
刘玲
收藏
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浏览/下载:56/0
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提交时间:2016/11/09
高铝粉煤灰
金属镓
界面改性电沉积
解耦与协同作用
过程强化
硅基扩镓溅射Ga2O3反应自组装GaN薄膜
期刊论文
2008, 卷号: 14, 期号: 5, 页码: 853-858
作者:
孙振翠[1]
;
曹文田[2]
;
王书运[2]
;
薛成山[2]
;
伊长虹[1]
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/28
Ga2O3
薄膜
GaN薄膜
射频磁控溅射
扩镓时间
不同条件对扩镓硅基GaN晶体膜质量影响的XRD分析
期刊论文
2005, 卷号: 21, 期号: 3, 页码: 292-294
作者:
王书运[1]
收藏
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2020/01/04
Ga2O3薄膜
GaN晶体膜
射频磁控溅射
扩镓时间
氮化时间
扩镓硅基GaN晶体膜质量的电镜分析
期刊论文
2004, 卷号: 10, 期号: 2, 页码: 75-79
作者:
王书运[1]
;
孙振翠[1]
;
曹文田[1]
;
薛成山[1]
收藏
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2019/12/31
Ga2O3薄膜
GaN晶体膜
射频磁控溅射
扩镓时间
氮化时间
氮化时间对扩镓硅基GaN晶体膜质量的影响
期刊论文
2004, 卷号: 10, 期号: 3, 页码: 364-368
作者:
曹文田[1]
;
孙振翠[1]
;
魏芹芹[1]
;
薛成山[1]
;
庄惠照[1]
收藏
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2019/12/31
射频磁控溅射
Ga2O3薄膜
GaN晶体膜
氮化温度
氮化时间
半导体
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