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| CIS薄膜太阳能电池WZ-CdS/WZ-CuInS_2/MoS_2界面性质的第一性原理研究 学位论文
2016
作者: 柳红霞
  收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2020/11/05
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| 应变平衡有源区梯度势阱层半导体激光器结构 专利
专利号: CN104795729A, 申请日期: 2015-07-22, 公开日期: 2015-07-22
作者: 许并社; 董海亮; 马淑芳; 梁建; 贾虎生
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2020/01/13 |
| 应变平衡有源区梯度势阱层半导体激光器结构 专利
专利号: CN204376193U, 申请日期: 2015-06-03, 公开日期: 2015-06-03
作者: 许并社; 董海亮; 马淑芳; 梁建; 贾虎生
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2019/12/24 |
| In0.68Ga0.32As热光伏电池的制作和特性分析 期刊论文
激光与光电子学进展, 2012, 期号: 49
作者: 赵勇明 ; 陆书龙; 季莲
收藏 | 浏览/下载：22/0 | 提交时间：2013/01/16
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| 硅基高质量氧化锌外延薄膜的界面控制 期刊论文
http://epub.edu.cnki.net/grid2008/brief/detailj.aspx?filename=DZXV200706008&dbname=CJFQ2007, 2012, 2012
王喜娜; 梅增霞; 王勇; 杜小龙; 张晓娜; 贾金锋; 薛其坤; 张泽
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2017/06/15
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| 硅基高质量氧化锌外延薄膜的界面控制 期刊论文
2012, 2012
张晓娜; 张泽
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2017/06/16
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| 含有数字合金位错隔离层的大失配外延缓冲层结构及制备 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102254954A, 申请日期: 2011-11-23, 公开日期: 2011-11-23
顾溢; 张永刚
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2012/01/06 |
| 一种硅基张应变衬底结构及其制备方法 专利
申请日期: 2011-05-13, 公开日期: 2012-11-20
作者: 孙兵; 刘洪刚
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2012/11/20 |
| 采用低温缓冲层技术在Si衬底上生长高质量Ge薄膜 期刊论文
2011
周志文; 贺敬凯; 李成; 余金中
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2016/05/17
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| 采用低温缓冲层技术在Si衬底上生长高质量Ge薄膜 期刊论文
光电子·激光, 2011, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 1030-1033
周志文; 贺敬凯; 李成; 余金中
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2012/07/17 |
