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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 反转型InAs/GaSb量子阱结构电子迁移率及异质结红外光电晶体管研究 学位论文 北京: 中国科学院研究生院, 2018 作者:  黄文军 收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2018/05/28 Inas/gasb二类超晶格  反转型量子阱结构  电子迁移率  异质结光电晶体管  双色   带有应变补偿层的半导体结构及其制备方法 专利 专利号: CN1347581A, 申请日期: 2002-05-01, 公开日期: 2002-05-01 作者:  高山彻;  马场考明;  詹姆斯S·哈里斯JR. 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/31 高灵敏度穿通型异质结光电晶体管 期刊论文 固体电子学研究与进展, 1995, 期号: 3, 页码: 214-221 李国辉; 韩德俊; 韩卫; 姬成周; 朱恩均; 周均铭; 黄绮 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2013/09/23