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| 金和铁掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻 专利 申请日期: 2016-01-20, 作者: 范艳伟; 周步康; 陈朝阳; 王军华
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| 补偿硅材料深能级(Au、Cu、Mn、Ni、Pt)掺杂制备及热敏特性研究 学位论文 博士, 北京: 中国科学院大学, 2014 作者: 范艳伟
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| 补偿硅材料深能级(Au、Cu、Mn、Ni、Pt)掺杂制备及热敏特性研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2014 作者: 范艳伟
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| 硅基热敏电阻的制备及性能研究 学位论文 硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2011 作者: 张希涛
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| 硅基热敏电阻的制备及性能研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院研究生院, 2011 作者: 张希涛
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2016/05/24
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| 金和铂掺杂单晶硅制备NTCR的研究 期刊论文 电子元件与材料, 2011, 卷号: 30, 期号: 6, 页码: 29-32 作者: 张希涛; 陈朝阳; 范艳伟; 丛秀云
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| Au和Ni掺杂n型硅材料的制备及其热敏特性 期刊论文 功能材料, 2009, 卷号: 40, 期号: 1, 页码: 37-39 作者: 董茂进; 陈朝阳; 范艳伟; 丛秀云; 王军华
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