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| 新型碳基材料的光电特性研究 学位论文
中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2019
作者: 焦晨
  收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2020/08/24
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| InGaAs低维量子结构光电材料辐射效应研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2016
作者: 玛丽娅·黑尼
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2016/12/19
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| 基于氮化镓生长半导体异质结构的方法 专利
专利号: CN103215648B, 申请日期: 2016-01-20, 公开日期: 2016-01-20
作者: 弗拉季米尔·西蒙诺维奇·阿布拉莫夫; 诺姆·佩托维奇·索西沁; 瓦列里·佩托维奇·苏切科夫; 尼古拉·瓦伦蒂诺维奇·施切巴科夫; 弗拉季米尔·瓦拉迪米诺维奇·艾伦科夫
收藏 | 浏览/下载：14/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| 锗硅缓冲双轴应变硅材料ε-Si/Ge0.3Si0.7/GexSi1-x/C-Si内部残余应力的显微拉曼实验分析 期刊论文
实验力学, 2016, 卷号: 31, 页码: 306-314
作者: 马路路; 程翠丽; 雷振坤; 赵煜乘; 仇巍
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2019/12/09
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| 半导体材料测量装置及原位测量界面缺陷分布的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: 102495089A, 申请日期: 2013-07-10, 公开日期: 2014-01-20
作者: 徐科 ; 邱永鑫; 钟海舰; 王建峰; 刘争晖
收藏 | 浏览/下载：50/0 | 提交时间：2014/01/20 |
| GaN与蓝宝石衬底上的ZnO薄膜生长和性能 学位论文
2012, 2012
吴雪峰
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2016/02/14
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| 以蓝宝石为衬底外延生长的氮化镓基膜材料的电子显微学研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院金属研究所, 2011
闫鹏飞
收藏 | 浏览/下载：56/0 | 提交时间：2013/04/12
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| GaN/AlGaN紫外探测器的制备与光电特性研究 学位论文
: 中国科学院研究生院, 2008
作者: 陈亮
收藏 | 浏览/下载：21/0 | 提交时间：2012/08/22
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| 半导体的检测与分析 专著
北京:科学出版社, 北京, 2007
许振嘉
收藏 | 浏览/下载：407/0 | 提交时间：2009/09/19 |
| GaN/AlGaN异质结构紫外探测器的制备与性能研究 学位论文
: 中国科学院研究生院, 2006
作者: 游达
收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2012/07/11
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