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| 基于GaN器件的宽输入LLC谐振变换器研究 学位论文 中国科学院深海科学与工程研究所: 中国科学院大学, 2024 作者: 徐子硕
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| 碳化硅功率MOSFET的工作状态对电离辐射损伤特性的影响研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2021 作者: 杨圣
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| SiC MOSFET在三相PWM整流器中的研究与应用 期刊论文 工业仪表与自动化装置, 2020, 期号: 2020-06, 页码: 75-79 作者: 米保全; 李许军; 王春霞
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| 空间辐射环境下 SiC MOSFET 的栅氧可靠性研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020 作者: 梁晓雯
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| 4H-SiC功率MOSFET研制 学位论文 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020 作者: 倪炜江
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2020/09/22 |
| 基于任务剖面的光伏逆变器综合寿命预测 期刊论文 太阳能学报, 2019, 期号: 10 作者: 刘悦遐; 黄萌; 刘懿; 查晓明
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| 大功率SiC MOSFET并联主动均流方法研究 学位论文 : 西安理工大学, 2019 作者: 薛亚飞
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:15/0  |  提交时间:2019/12/20
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| 半超结MOSFET动态雪崩研究 学位论文 : 西安理工大学, 2019 作者: 苏乐
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2019/12/20
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| 碳化硅MOSFET器件及其制作方法 专利 专利号: CN201510574417.3, 申请日期: 2018-03-23, 公开日期: 2015-12-16 作者: 李诚瞻; 汤益丹 ; 申华军 ; 白云 ; 周静涛![](/image/person.jpg)
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:23/0  |  提交时间:2019/03/07 |
| 面向高压大功率应用的SiC功率器件基本问题研究 学位论文 北京: 中国科学院半导体研究所, 2018 作者: 刘胜北
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:23/0  |  提交时间:2018/02/22 |