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| 碳化硅VDMOS的静态和动态辐射损伤及其比较 期刊论文 原子能科学技术, 2022, 卷号: 56, 期号: 4, 页码: 767-774 作者: 冯皓楠1,2,3; 杨圣1,2,3; 梁晓雯1,2,3; 张丹1,2,3; 蒲晓娟1,2,3
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| 一种提高各向异性磁电阻磁阻率的制备方法 专利 专利号: CN202010651681.3, 申请日期: 2021-10-15, 公开日期: 2020-11-27 作者: 冯润东; 张文伟
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| 太赫兹开关及太赫兹波光信号控制方法 专利 申请日期: 2021-09-07, 作者: 刘力源; 刘敏; 刘剑; 吴南健; 刘朝阳
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| 参考光学频率梳的数字激光稳频技术 学位论文 北京: 中国科学院大学, 2021 作者: 孔萌
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| 碳化硅功率MOSFET的工作状态对电离辐射损伤特性的影响研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2021 作者: 杨圣
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| 一种电路级总剂量辐射效应仿真方法 专利 申请日期: 2021-01-12, 作者: 郑齐文; 崔江维; 李小龙; 魏莹; 余学峰
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| 2μm GaSb基被动锁模激光器重复频率变化的研究(特邀) 期刊论文 红外与激光工程, 2020, 卷号: 49, 期号: 12, 页码: 196-200 作者: 李翔; 汪宏; 乔忠良; 张宇; 牛智川
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| 不同LET粒子对商用GaN功率器件可靠性的影响 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020 作者: 陈思远
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| 典型双极模拟电路ELDRS与SET协同效应研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020 作者: 姚帅
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| 22nm体硅FinFET总剂量效应及热载流子可靠性研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020 作者: 王保顺
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:30/0  |  提交时间:2020/11/19
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