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| 一种抗辐射加固SOI材料的总剂量辐射性能评估方法 专利 申请日期: 2021-02-19, 作者: 郑齐文; 崔江维; 余学峰; 李豫东; 郭旗
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| 不同LET粒子对商用GaN功率器件可靠性的影响 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020 作者: 陈思远
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:46/0  |  提交时间:2020/11/19
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| 低温生长铝镓砷光折变效应的研究 期刊论文 物理学报, 2019, 卷号: 68, 期号: 16 作者: 钟梓源; 何凯 ; 苑云; 汪韬 ; 高贵龙
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| 辐射对HgCdTe红外器件暗电流特性的影响研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019 作者: 王志铭
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:17/0  |  提交时间:2019/07/15
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| 总剂量辐射环境下微纳器件长期可靠性退化机理探究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2019 作者: 赵京昊
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:17/0  |  提交时间:2019/07/15
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| 一种近红外量子点单光子源的制备方法及检测方法 专利 专利号: CN108039646A, 申请日期: 2018-05-15, 公开日期: 2018-05-15 作者: 张国峰; 杨昌钢; 韩雪; 陈瑞云; 秦成兵
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:22/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| AlGaInAs近红外半导体激光器外延结构的退化机理研究 学位论文 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2018 作者: 宋悦
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2019/09/23
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| 一种GaAs基近红外波段含Sb多层量子点与非对称量子阱耦合激光器结构 专利 专利号: CN104037618B, 申请日期: 2017-01-18, 公开日期: 2017-01-18 作者: 尤明慧; 于新雨; 李占国; 刘景圣; 李士军
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| InGaAs低维量子结构光电材料辐射效应研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2016 作者: 玛丽娅·黑尼
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2016/12/19
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| CCD空间累积辐射效应及损伤机理研究 学位论文 博士, 北京: 中国科学院大学, 2015 作者: 文林
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:111/0  |  提交时间:2015/06/15
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