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| 小型天体穿透器的冲击和侵彻分析 期刊论文
东北大学学报(自然科学版), 2019, 卷号: 40, 期号: 2, 页码: 251-255
作者: 付立新; 刘广明; 孟祥志
  收藏 | 浏览/下载：27/0 | 提交时间：2019/02/24
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| 几种不锈钢低温等离子体渗氮技术研究 学位论文
2019
作者: 王资龙
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2020/11/05
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| γ射线辐照对130 nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响 期刊论文
红外与激光工程, 2018, 卷号: 47, 期号: 9, 页码: 214-219
作者: 马腾; 苏丹丹; 周航; 郑齐文; 崔江维
收藏 | 浏览/下载：25/0 | 提交时间：2018/10/18
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| γ射线和电子束对SOI MOSFET栅介质可靠性影响研究 学位论文
北京: 中国科学院大学, 2017
作者: 苏丹丹
收藏 | 浏览/下载：23/0 | 提交时间：2017/09/26
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| γ射线和电子束对SOI MOSFET栅介质可靠性影响研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2017
作者: 苏丹丹
收藏 | 浏览/下载：13/0 | 提交时间：2017/09/26
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| 星用纳米MOS器件的总剂量辐射效应与NBTI效应研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者: 余德昭
收藏 | 浏览/下载：33/0 | 提交时间：2016/09/27
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| 星用纳米MOS器件的总剂量辐射效应与NBTI效应研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2016
作者: 余德昭
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2016/09/27
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| 介电弹性体共存态分析 学位论文
2016
作者: 白恩光
收藏 | 浏览/下载：0/0 | 提交时间：2020/11/05
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| 宽禁带半导体材料的光电特性研究 学位论文
博士: 中国科学院大学, 2015
作者: 王丹丹
收藏 | 浏览/下载：85/0 | 提交时间：2015/11/30
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| 具有高击穿电压的HEMT及其制造方法 专利
专利号: CN201110116103.0, 申请日期: 2015-04-08, 公开日期: 2012-11-07
作者: 赵超 ; 罗军; 陈大鹏; 叶甜春
收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2016/09/18 |
