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浏览/检索结果: 共9条，第1-9条 帮助 已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 不同尺寸分布的自组织In_(0.55)Al_(0.45)As/Al_(0.5)Ga_(0.5)As量子点的静压光谱 期刊论文 半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 11, 页码: 1092 陈晔; 张旺; 李国华; 韩和相; 汪兆平; 周伟; 王占国 收藏  |  浏览/下载：84/0  |  提交时间：2010/11/23 不同晶向、厚度的超晶格界面的平均键能行为 期刊论文 1994 王仁智; 柯三黄; 黄美纯 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2011/06/24 应变层半导体超晶格价带边不连续性的第一原理研究 期刊论文 1994 柯三黄; 王仁智; 黄美纯 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2011/06/24 应变层超晶格(InAs)_n(InP)_n(001)电子结构的LMTO计算 期刊论文 1993 柯三黄; 王仁智; 黄美纯 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2011/06/27 应变层超晶格InAs/InP界面的平均键能行为与价带边不连续性 期刊论文 1993 柯三黄; 王仁智; 黄美纯 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2011/06/27 异质结能带边不连续性的第一性原理计算 期刊论文 1992 王仁智; 黄美纯 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2011/06/27 半导体异质结  价带边不连续  ΔE_v值  理论计算   弹性应变及结构参数对InAs/GaAs应变层超晶格能带结构的影响 期刊论文 半导体学报, 1992, 期号: 06 毕文刚; 李爱珍 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/03/29 异质结价带边不连续△E_v的理论计算 期刊论文 1991 王仁智; 黄美纯 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2011/06/27 异质结价带边不连续△E_v理论计算中d态的作用 期刊论文 1991 王仁智; 黄美纯; 柯三黄 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2011/06/27 异质结  价带边不连续  Heterostructures  Valence-band offsets