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| Ⅲ-Ⅴ族半导体材料及AlGaN/GaN HEMT器件辐照效应研究 学位论文 中国科学院大学: 中国科学院大学(中国科学院近代物理研究所), 2019 作者: 胡培培
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:85/0  |  提交时间:2019/11/21 |
| 二维GaN基材料CVD制备与理论研究 学位论文 : 西安理工大学, 2019 作者: 赵滨悦
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| 氧化锌纳米结构新型紫外光电器件的研制 学位论文 博士: 中国科学院大学, 2014 王飞
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:95/0  |  提交时间:2014/08/21 |
| 基于AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的太赫波探测器件的研究 学位论文 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2012 作者: 孙云飞![](/image/person.jpg)
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| 纳米电子学方法在III-V族半导体光电功能结构中的应用研究 学位论文 : 中国科学院研究生院, 2010 作者: 殷豪
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:21/0  |  提交时间:2012/09/11
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| ZnO纳米材料生长及光电器件研究 学位论文 长春光学精密机械与物理所: 中国科学院长春光学精密机械与物理所, 2009 作者: 方芳
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2012/03/21
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| MOCVD生长GaN力学性能研究 期刊论文 稀有金属材料与工程, 2007, 卷号: 36, 期号: 3, 页码: 416-419 作者: 段瑞飞 ; 魏同波![](/image/person.jpg)
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:131/4  |  提交时间:2010/11/23 |
| 基于远红外太赫兹光谱和x射线光电子谱的材料性质研究 学位论文 博士, 上海应用物理研究所: 中国科学院上海应用物理研究所, 2006 韩家广
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:78/0  |  提交时间:2012/04/11
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| 高质量氧化逛商店薄膜和低维结构的制备及研究 学位论文 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 2005 作者: 梁红伟
![](/themes/default/image/downing1.png) 收藏  |  浏览/下载:4/0  |  提交时间:2012/03/21
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