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| 一种边射型半导体激光器芯片结构 专利
专利号: CN209233160U, 申请日期: 2019-08-09, 公开日期: 2019-08-09
作者: 师宇晨; 王兴; 罗俊岗; 张西璐; 刘虎强
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| 一种可改善出光发散角的对接型半导体激光器 专利
专利号: CN207282905U, 申请日期: 2018-04-27, 公开日期: 2018-04-27
作者: 师宇晨; 潘彦廷; 李马惠; 穆瑶; 卫思逸
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| 基于旋转发射镜的激光远距离无线充电装置 专利
专利号: CN106385116A, 申请日期: 2017-02-08, 公开日期: 2017-02-08
作者: 李真; 朱思祁; 陈振强; 尹浩; 何铁锋
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| 一种铟镓砷短波红外探测器 专利
专利号: 201610407146.7, 申请日期: 2016-06-12, 公开日期: 2017-05-03
作者: 1 李平 2 李淘 3 李雪 4 邵秀梅 5 唐恒敬 6 龚海梅
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| 一种基于铋元素的GaAs基室温红外发光材料及其制备方法 专利
专利号: CN105226503A, 申请日期: 2016-01-06, 公开日期: 2016-01-06
作者: 王庶民
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| 科学家首次观测到阿秒级电子震荡/龙芯3B六核高性能通用处理器平台发布/破碎多次也能自动恢复功能的新型电子材料问世/中科院所铟镓砷MOSFET射频开关芯片研究获进展/水下通信领域取得重大技术突破有望告别“对讲机”时代/集成在光学电路中的单光子源问世 期刊论文
军民两用技术与产品, 2016, 卷号: 第6期, 页码: 23-25
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| 一种低损伤的铟镓砷探测器p+n结制备方法 专利
专利号: 201510296103.1, 申请日期: 2015-06-02, 公开日期: 2017-03-22
作者: 1曹高奇 2 唐恒敬 3 程吉凤 4石 铭5王 瑞6邵秀梅7李庆法 8 李 雪 9 龚海梅
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| 制作宽光谱砷化铟/磷化铟量子点激光器有源区的方法 专利
专利号: CN104600564A, 申请日期: 2015-05-06, 公开日期: 2015-05-06
作者: 杨涛; 高凤; 罗帅; 季海铭
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| InGaAs/GaAs异质结材料的MOCVD生长及性质研究 学位论文
硕士: 中国科学院大学, 2014
韩智明
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| 延伸波长In0.82Ga0.18As 红外探测器器件结构优化设计 学位论文
硕士: 中国科学院大学, 2014
赵旭
收藏 | 浏览/下载：94/0 | 提交时间：2015/05/03
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