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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Photoelectrochemical behavior of a novel composite in0.15ga0.85as/gaas vertical bar gaas/al0.3ga0.7as multiple quantum well electrode 期刊论文 Electrochemistry communications, 2000, 卷号: 2, 期号: 6, 页码: 404-406 作者:  Liu, Y;  Xiao, XR;  Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Multiple quantum well electrode  Quantization effect  Exciton transition  Photocurrent spectrum  Photoelectrochemical cell   Photoelectrochemical behavior of a novel composite In0.15Ga0.85As/GaAs vertical bar GaAs/Al0.3Ga0.7As multiple quantum well electrode 期刊论文 electrochemistry communications, 2000, 卷号: 2, 期号: 6, 页码: 404-406 Liu Y; Xiao XR; Zeng YP 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/08/12 multiple quantum well electrode  quantization effect  exciton transition  photocurrent spectrum  photoelectrochemical cell  SOLAR-CELLS  PHOTOCURRENT SPECTROSCOPY  SUPERLATTICE ELECTRODES  EFFICIENCY  PHOTOLUMINESCENCE  HETEROSTRUCTURE   Size quantization effects in inas self-assembled islands on inp(001) at the onset of 2d-to-3d transition 期刊论文 Journal of crystal growth, 1999, 卷号: 197, 期号: 4, 页码: 789-793 作者:  Liu, FQ;  Wang, ZG;  Wu, J;  Xu, B;  Zhou, W 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 Self-assembled island  Size quantization effect  Molecular beam epitaxy   Size quantization effects in InAs self-assembled islands on InP(001) at the onset of 2D-to-3D transition 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 197, 期号: 4, 页码: 789-793 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 self-assembled island  size quantization effect  molecular beam epitaxy  EXCITED-STATES  GROWTH  PHOTOLUMINESCENCE  QUANTUM DOTS