×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
山东师范大学 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2013 [1]
2004 [1]
2002 [1]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
帮助
限定条件
专题:山东师范大学
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
P型掺杂GaN研究现状及发展
期刊论文
2013, 期号: 1, 页码: 80-85
作者:
臧宗娟[1]
;
石锋[1]
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2019/12/31
GaN材料
掺杂
激活
热退火
竹叶状GaN纳米带的制备
期刊论文
2004, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 1-2
作者:
高海永[1]
;
庄惠照[1]
;
薛成山[1]
;
王书运[1]
;
董志华[1]
收藏
  |  
浏览/下载:1/0
  |  
提交时间:2019/12/31
半导体材料
GAN纳米带
氨化
挥发
ZnO/Ga2O3膜
Si(111)衬底GaN薄膜的制备与特性
期刊论文
2002, 卷号: 32, 期号: 12, 页码: 1102-1105
作者:
杨莺歌[1]
;
马洪磊[1]
;
郝晓涛[1]
;
马瑾[1]
;
薛成山[2]
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2019/12/28
Si(111)衬底
GaN薄膜
制备
光致发光
氮化镓薄膜
硅衬底
溅射后退火反应法
半导体材料
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace