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山东师范大学 [27]
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期刊论文 [22]
成果 [3]
会议论文 [2]
发表日期
2014 [1]
2010 [1]
2008 [1]
2007 [3]
2004 [1]
1999 [1]
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具有TCSC的单机无线总线系统非线性阻尼浸入与不变控制
期刊论文
2014, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 1703-1706
作者:
董秀娟[1]
;
李圣涛[2]
;
井元伟[1]
;
姜囡[1]
;
张嗣瀛[1]
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2020/01/04
电力系统
浸入与不变
状态反馈
非线性阻尼
晶闸管控制串补
镓铝双质掺杂提高晶闸管性能的机理研究
期刊论文
2010, 卷号: 59, 期号: 3, 页码: 1964-1969
作者:
王公堂[1]
;
刘秀喜[1]
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2019/12/28
镓铝双质掺杂
机理
晶闸管
性能
有机硅化合物-金属氧化物绝缘保护材料在制造高压晶闸管中的应用研究
期刊论文
2008, 卷号: 57, 期号: 1, 页码: 576-580
作者:
刘秀喜[1]
;
王公堂[1]
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/28
绝缘保护材料
性能
晶闸管
机理
Ga阶梯式深结分布特性与应用研究
期刊论文
2007, 卷号: 36, 期号: A03, 页码: 36-39
作者:
裴素华[1]
;
黄萍[1]
;
张美娜[1]
;
江玉清[1]
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2020/01/04
Ga
阶梯式分布
晶闸管
电学性能
Ga的高斯分布对快速晶闸管电学性能的改善
期刊论文
2007, 卷号: 36, 期号: A03, 页码: 40-43
作者:
裴素华[1]
;
黄萍[1]
;
张美娜[1]
;
江玉清[1]
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浏览/下载:1/0
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提交时间:2020/01/04
Ga高斯函数分布
快速晶闸管
电学性能
镓铝双质掺杂在制造快速晶闸管中的应用研究
期刊论文
2007, 卷号: 56, 期号: 8, 页码: 4823-4828
作者:
王公堂[1]
;
刘秀喜[1]
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提交时间:2020/01/07
快速晶闸管
镓铝双质掺杂技术
杂质浓度分布
一种气(Ga)-固(Al掺杂氧化物)-固(Si)掺杂新工艺
期刊论文
2004, 卷号: 25, 期号: 1, 页码: 109-114
作者:
刘秀喜[1]
;
孙瑛[1]
;
李玉国[1]
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提交时间:2020/01/07
晶闸管
受主杂质
掺杂机制
工艺应用
一种半导体器件绝缘保护材料的应用研究
期刊论文
1999, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 1-6
作者:
刘秀喜[1]
;
陈刚[2]
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提交时间:2019/12/31
保护材料
晶闸管
钝化
半导体器件
Ga阶梯分布改善快速晶闸管耐压特性
期刊论文
1998, 卷号: 23, 期号: 4, 页码: 30-33
作者:
裴素华[1]
;
赵善麒[2]
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提交时间:2019/12/28
阶梯分布
耐压特性
晶闸管
掺杂
镓铝扩散产生表面层缺陷的机理及处理措施
期刊论文
1997, 卷号: 12, 期号: 2, 页码: 149-152
作者:
刘秀喜
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提交时间:2020/01/04
受主双质掺杂
表面层缺陷
位错
晶闸管
镓铝扩散
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