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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A generic numerical model for detection of terahertz radiation in MOS field-effect transistors 期刊论文 SOLID-STATE ELECTRONICS, 2010, 卷号: 54, 期号: 8, 页码: 791-795 Wang, YL; Yan, ZF; Zhu, JX; Zhang, LN; Lin, XN; He, J; Cao, JC; Chan, MS 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/03/24 2-DIMENSIONAL ELECTRON FLUID  CURRENT INSTABILITY  RESONANT DETECTION  INVERSION-LAYERS  DC CURRENT   Process-induced mechanical stress effects on deep submicron CMOS device 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2008, 卷号: 57, 期号: 7, 页码: 4497-4507 Li, R; Wang, QD 收藏  |  浏览/下载：101/0  |  提交时间：2012/03/24 P(+) SILICON FILMS  DEFORMATION POTENTIALS  THERMAL-OXIDATION  INVERSION LAYERS  DOPANT DIFFUSION  THIN-FILMS  STRAIN  BORON  IMPACT  STI